Tower Semiconductor 与日本政府将共同投资约 40 亿美元，把 Tower 在日本的工厂群升级为面向光连接半导体的大型制造基地。据日经报道，Tower 将自投 30 亿美元，日本经济产业省（METI）出资 10 亿美元。项目采用双轨推进，目标是到 2029 年将 Tower 日本产能提升至每月 4.5 万片 300mm 晶圆等效，约为 2025 年水平的 40 倍，并计划新增约 200 名员工。
第一轨（Track One）聚焦存量产能的改造与扩建。Tower 计划把位于新潟县新井的闲置 200mm Fab 6 改造成 300mm 工厂，用于硅光子（SiPho）和先进光封装，即把电子集成电路与光子集成电路键合在一起。同时，位于富山县鱼津附近的 300mm Fab 7 将扩大 SiGe 电子集成电路（EIC）和 SiPho 光子集成电路（PIC）的产出。Fab 7 已通过全面认证并量产多种 SiGe EIC 与 SiPho PIC，采用包括最新 TPS65SG 在内的多款 TPS65 系列 65nm 级 SiGe 工艺，以及 TPS45PHD 45nm 级 SiPho 技术。这种渐进式扩产的好处是，随着设备陆续安装即可逐步增加产出，不必等待全新工厂和工艺全部认证完成。第一轨预计在 2027 年第四季度达到满产就绪，Tower 预计其在 2028 财年可带来约 36 亿美元收入和 12 亿美元净利润。
第二轨（Track Two）与第一轨并行启动，目标更为宏大。Tower 打算在鱼津 Fab 7 旁再建一座 300mm 工厂，使 SiGe EIC 和 SiPho PIC 的产出提升数倍。届时 Tower 在日本将拥有两个生产 EIC 和 PIC 的基地，以及一个用这些组件组装光引擎的基地——即改造后的 Fab 6。第二轨预计从 2029 年开始对财务业绩产生实质性贡献。
这一扩张规模反映出 AI 基础设施对光连接的需求正快速攀升。据日经报道，Tower 在服务器用光通信半导体代工市场的份额超过 80%，客户包括 Marvell 等行业领先者，因此需要大规模产能支撑。Tower 也承认，在共封装光学（CPO）方面，英特尔、台积电和 GlobalFoundries 目前走在前列，因此这笔日本投资不只是增加产能，也是为其 CPO 计划铺路。目前 Tower 计划将 CPO 及相关前道制造技术引入富山县鱼津工厂，但尚未披露 CPO 路线图细节。
此次扩产也与 Tower 日本制造业务的重组同步进行。Tower 的日本布局始于 2014 年，当时与松下合资成立 TowerJazz Panasonic Semiconductor（TPSCo），Tower 持股 51%，松下持股 49% 并注入鱼津、砺波和新井的工厂。2020 年松下退出半导体业务后，其股份转给新唐科技日本子公司（NTCJ）。核心资产是鱼津的 Fab 7，这座 300mm 工厂已被 Tower 逐步从原松下工厂改造为关键 specialty 制造基地，支持 65nm 级 SiGe 和 45nm 级 SiPho 技术。根据 2026 年 3 月宣布、预计 2027 年 4 月完成的协议，Tower 将取得 Fab 7 及其 300mm 代工业务的全部所有权和运营控制权，新唐则取得 TPSCo 和砺波的 Fab 5。与此同时，Tower 正重启原新井 Fab 6 作为 300mm SiPho 与先进光封装基地，并计划在 Fab 7 旁再建一座 300mm 工厂。从十多年前以较低成本从松下获得日本产能，到如今演变为 Tower 自有的 300mm SiPho 与 SiGe 生产枢纽，其产出和收入有望成倍增长。