Tower Semiconductor 與日本政府將共同投資約 40 億美元，把 Tower 在日本的工廠群升級為面向光連線半導體的大型製造基地。據日經報道，Tower 將自投 30 億美元，日本經濟產業省（METI）出資 10 億美元。專案採用雙軌推進，目標是到 2029 年將 Tower 日本產能提升至每月 4.5 萬片 300mm 晶圓等效，約為 2025 年水平的 40 倍，並計劃新增約 200 名員工。
第一軌（Track One）聚焦存量產能的改造與擴建。Tower 計劃把位於新潟縣新井的閒置 200mm Fab 6 改造成 300mm 工廠，用於矽光子（SiPho）和先進光封裝，即把電子積體電路與光子積體電路鍵合在一起。同時，位於富山縣魚津附近的 300mm Fab 7 將擴大 SiGe 電子積體電路（EIC）和 SiPho 光子積體電路（PIC）的產出。Fab 7 已通過全面認證並量產多種 SiGe EIC 與 SiPho PIC，採用包括最新 TPS65SG 在內的多款 TPS65 系列 65nm 級 SiGe 工藝，以及 TPS45PHD 45nm 級 SiPho 技術。這種漸進式擴產的好處是，隨著裝置陸續安裝即可逐步增加產出，不必等待全新工廠和工藝全部認證完成。第一軌預計在 2027 年第四季度達到滿產就緒，Tower 預計其在 2028 財年可帶來約 36 億美元收入和 12 億美元淨利潤。
第二軌（Track Two）與第一軌並行啟動，目標更為宏大。Tower 打算在魚津 Fab 7 旁再建一座 300mm 工廠，使 SiGe EIC 和 SiPho PIC 的產出提升數倍。屆時 Tower 在日本將擁有兩個生產 EIC 和 PIC 的基地，以及一個用這些元件組裝光引擎的基地——即改造後的 Fab 6。第二軌預計從 2029 年開始對財務業績產生實質性貢獻。
這一擴張規模反映出 AI 基礎設施對光連線的需求正快速攀升。據日經報道，Tower 在伺服器用光通訊半導體代工市場的份額超過 80%，客戶包括 Marvell 等行業領先者，因此需要大規模產能支撐。Tower 也承認，在共封裝光學（CPO）方面，英特爾、台積電和 GlobalFoundries 目前走在前列，因此這筆日本投資不只是增加產能，也是為其 CPO 計劃鋪路。目前 Tower 計劃將 CPO 及相關前道製造技術引入富山縣魚津工廠，但尚未披露 CPO 路線圖細節。
此次擴產也與 Tower 日本製造業務的重組同步進行。Tower 的日本佈局始於 2014 年，當時與松下合資成立 TowerJazz Panasonic Semiconductor（TPSCo），Tower 持股 51%，松下持股 49% 並注入魚津、礪波和新井的工廠。2020 年松下退出半導體業務後，其股份轉給新唐科技日本子公司（NTCJ）。核心資產是魚津的 Fab 7，這座 300mm 工廠已被 Tower 逐步從原松下工廠改造為關鍵 specialty 製造基地，支援 65nm 級 SiGe 和 45nm 級 SiPho 技術。根據 2026 年 3 月宣佈、預計 2027 年 4 月完成的協議，Tower 將取得 Fab 7 及其 300mm 代工業務的全部所有權和運營控制權，新唐則取得 TPSCo 和礪波的 Fab 5。與此同時，Tower 正重啟原新井 Fab 6 作為 300mm SiPho 與先進光封裝基地，並計劃在 Fab 7 旁再建一座 300mm 工廠。從十多年前以較低成本從松下獲得日本產能，到如今演變為 Tower 自有的 300mm SiPho 與 SiGe 生產樞紐，其產出和收入有望成倍增長。