路透社援引三名知情人士报道，中国DRAM龙头长鑫存储（CXMT）正筹划进入3D NAND闪存领域，计划在北京附近的第二座晶圆厂内建设一条3D NAND研发产线。由于该晶圆厂尚未破土动工，这条实验性产线距离投产至少还有两到三年，具体时间表未有披露。长鑫方面尚未正式确认任何3D NAND计划，相关消息仍需谨慎看待。

除产线之外，一名消息人士称长鑫已在北京设立研究院，NAND闪存开发被列为该院研究项目之一。目前外界对长鑫的3D NAND架构、堆叠层数、制程技术、预期性能与产能均无细节。报道还称，长鑫已就NAND业务与潜在客户有过沟通，其中一家据说是新成立的公司，计划将长鑫制造的NAND器件用于面向AI与超算应用的存储产品。

这一动向若最终落地，将意味着长鑫走出其长期专注的DRAM领域，直接进入长江存储（YMTC）的地盘。此前中国两大存储厂商各守3D NAND与DRAM阵地并取得相当成绩，但两家似乎都希望成为DRAM与NAND的一站式供应商，对标美光、三星、SK海力士等规模更大的对手——据报道，长江存储也在探索DRAM生产。

从商业逻辑看，长鑫此时切入3D NAND的合理性存疑。3D NAND需要与DRAM完全不同的制程技术、制造经验与设备，投入资源的经济回报并不明显。长鑫是中国最主要的DRAM生产商，在多年亏损后，今年上半年录得224.1亿美元营收与115.7亿美元净利润，但规模仍明显小于三大存储巨头，在其已具备经验、制程、晶圆厂与客户的DRAM领域，扩张空间依然充足。与此同时，AI需求为长鑫聚焦先进DRAM及HBM3E提供了充分理由，这些产品在战略价值上普遍被认为高于通用3D NAND。

不过，从中国政府推动半导体自给的视角看，把长鑫培育成中国第二家主要3D NAND生产商，几乎完美契合其产业政策目标。长鑫由合肥市政府资金出资设立（IPO期间合肥方面持股37%），并获得中国大基金支持，这意味着中央与地方政府对公司保持控制权，也可能影响其战略决策。至于长鑫能否真正成为一家有竞争力的3D NAND厂商，则是另一个问题。

对关注AI产业链的读者而言，这条消息的意义不止于一家公司的产品线扩张。存储是AI算力基础设施的关键一环，高带宽内存与闪存供给直接影响数据中心成本与部署节奏。若中国在DRAM与NAND两条线上都形成有分量的本土供应商，全球存储市场的供给结构与价格周期可能随之变化，上游设备与材料厂商也将面对新的订单流向。但就目前而言，这仍是一条未经证实的规划消息，距离量产与市场影响落地还有相当距离。