台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate，基板上晶圆上芯片）先进封装产能，据供应链估算将从2026年底约每月13万片300毫米等效晶圆，提升到2028年的26万片，实现翻倍。这一数字并非台积电的正式业绩指引，而属于供应链层面的预测，但其方向与台积电在先进封装上的激进投入一致，也说明AI基础设施需求正从阶段性短缺演变为跨越多年的产能周期。

CoWoS属于2.5D封装技术家族，做法是把GPU或定制加速器等逻辑裸片与高带宽内存（HBM）放置在硅中介层或重布线层结构上，让各组件通过密集的短互连通信，再整体安装到有机基板上。相比在传统电路板上走线，这种架构能提供更高带宽、更低延迟和更好的能效，因此先进封装已成为AI性能的关键环节。领先加速器需要多组HBM堆叠来为数千个计算单元持续供数；如果内存带宽、互连密度或供电无法同步扩展，处理器再快也发挥不出价值。换言之，CoWoS不再只是晶圆制造之后的收尾工序，它越来越直接决定一颗先进制程芯片能释放出多少有效算力。

封装尺寸也在扩大。台积电表示，2025年已认证一款支持中介层面积达到最大掩模版（reticle）面积5.5倍的CoWoS方案，并计划在2026年量产。更大的封装可以容纳更多计算芯粒、输入输出裸片和HBM堆叠，但每颗器件消耗的中介层面积与封装资源也随之增加。因此，晶圆等效产能翻倍，并不必然意味着成品加速器数量翻倍。台积电2025年年报还把CoWoS、InFO和SoIC列为实现大规模、高能效集成的核心工艺。

这轮扩产有助于英伟达、AMD以及定制ASIC开发商提高出货量，但未必能消除短缺。AI集群正转向更大的多芯粒封装，同时超大规模云厂商在采购商用GPU之外也在自研加速器，需求在数量与封装强度两个维度同时上升。即便名义CoWoS产出提高，良率管理、HBM供应、基板、散热方案和测试能力仍可能构成瓶颈。

这种供需缺口为英特尔代工业务创造了机会。英特尔的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥）把小型硅桥嵌入封装基板，而不是在每颗裸片下方铺设大面积中介层；Foveros增加垂直堆叠能力；EMIB-T则把桥式连接与硅通孔结合，以改善信号与供电。这些技术并非对每一种CoWoS设计的直接替代，客户需要重新验证物理接口、组装工艺、热行为和可靠性，但它们为新的定制加速器提供了另一条路径。英特尔已确认其先进封装组合包含EMIB、EMIB-T和Foveros，联发科也公开表示同时支持英特尔与台积电的封装平台。

外包封测（OSAT）厂商同样有望承接外溢需求。日月光、Amkor等公司可以承担部分封装组装、凸块、基板集成与最终测试，既可以与晶圆厂合作，也可以依托相互竞争的2.5D平台。Amkor位于亚利桑那州的先进封装园区计划于2028年投产，也说明封装需求正在推动产能的地理多元化。

整体来看，半导体领导地位已不再只由晶体管密度定义。能否以可接受的良率和成本，把异质裸片、HBM与高速接口组合在一起，如今直接决定加速器的供给。台积电的扩产巩固了其领先位置，但持续旺盛的需求也给英特尔和封测厂带来同样有价值的东西——量产订单、客户认证，以及从临时溢出供应商转变为长期第二供应商的机会。