台積電的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate，基板上晶圓上晶片）先進封裝產能，據供應鏈估算將從2026年底約每月13萬片300毫米等效晶圓，提升到2028年的26萬片，實現翻倍。這一數字並非台積電的正式業績指引，而屬於供應鏈層面的預測，但其方向與台積電在先進封裝上的激進投入一致，也說明AI基礎設施需求正從階段性短缺演變為跨越多年的產能週期。

CoWoS屬於2.5D封裝技術家族，做法是把GPU或定製加速器等邏輯裸片與高頻寬記憶體（HBM）放置在矽中介層或重佈線層結構上，讓各元件通過密集的短互連通訊，再整體安裝到有機基板上。相比在傳統電路板上走線，這種架構能提供更高頻寬、更低延遲和更好的能效，因此先進封裝已成為AI效能的關鍵環節。領先加速器需要多組HBM堆疊來為數千個計算單元持續供數；如果記憶體頻寬、互連密度或供電無法同步擴充套件，處理器再快也發揮不出價值。換言之，CoWoS不再只是晶圓製造之後的收尾工序，它越來越直接決定一顆先進製程晶片能釋放出多少有效算力。

封裝尺寸也在擴大。台積電表示，2025年已認證一款支援中介層面積達到最大掩模版（reticle）面積5.5倍的CoWoS方案，並計劃在2026年量產。更大的封裝可以容納更多計算芯粒、輸入輸出裸片和HBM堆疊，但每顆器件消耗的中介層面積與封裝資源也隨之增加。因此，晶圓等效產能翻倍，並不必然意味著成品加速器數量翻倍。台積電2025年年報還把CoWoS、InFO和SoIC列為實現大規模、高能效整合的核心工藝。

這輪擴產有助於輝達、AMD以及定製ASIC開發商提高出貨量，但未必能消除短缺。AI叢集正轉向更大的多芯粒封裝，同時超大規模雲廠商在採購商用GPU之外也在自研加速器，需求在數量與封裝強度兩個維度同時上升。即便名義CoWoS產出提高，良率管理、HBM供應、基板、散熱方案和測試能力仍可能構成瓶頸。

這種供需缺口為英特爾代工業務創造了機會。英特爾的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多晶片互連橋）把小型矽橋嵌入封裝基板，而不是在每顆裸片下方鋪設大面積中介層；Foveros增加垂直堆疊能力；EMIB-T則把橋式連線與矽通孔結合，以改善訊號與供電。這些技術並非對每一種CoWoS設計的直接替代，客戶需要重新驗證物理介面、組裝工藝、熱行為和可靠性，但它們為新的定製加速器提供了另一條路徑。英特爾已確認其先進封裝組合包含EMIB、EMIB-T和Foveros，聯發科也公開表示同時支援英特爾與台積電的封裝平台。

外包封測（OSAT）廠商同樣有望承接外溢需求。日月光、Amkor等公司可以承擔部分封裝組裝、凸塊、基板整合與最終測試，既可以與晶圓廠合作，也可以依託相互競爭的2.5D平台。Amkor位於亞利桑那州的先進封裝園區計劃於2028年投產，也說明封裝需求正在推動產能的地理多元化。

整體來看，半導體領導地位已不再只由電晶體密度定義。能否以可接受的良率和成本，把異質裸片、HBM與高速介面組合在一起，如今直接決定加速器的供給。台積電的擴產鞏固了其領先位置，但持續旺盛的需求也給英特爾和封測廠帶來同樣有價值的東西——量產訂單、客戶認證，以及從臨時溢位供應商轉變為長期第二供應商的機會。