路透社援引三名知情人士報道，中國DRAM龍頭長鑫儲存（CXMT）正籌劃進入3D NAND快閃記憶體領域，計劃在北京附近的第二座晶圓廠內建設一條3D NAND研發產線。由於該晶圓廠尚未破土動工，這條實驗性產線距離投產至少還有兩到三年，具體時間表未有披露。長鑫方面尚未正式確認任何3D NAND計劃，相關訊息仍需謹慎看待。

除產線之外，一名訊息人士稱長鑫已在北京設立研究院，NAND快閃記憶體開發被列為該院研究專案之一。目前外界對長鑫的3D NAND架構、堆疊層數、製程技術、預期效能與產能均無細節。報道還稱，長鑫已就NAND業務與潛在客戶有過溝通，其中一家據說是新成立的公司，計劃將長鑫製造的NAND器件用於面向AI與超算應用的儲存產品。

這一動向若最終落地，將意味著長鑫走出其長期專注的DRAM領域，直接進入長江儲存（YMTC）的地盤。此前中國兩大儲存廠商各守3D NAND與DRAM陣地並取得相當成績，但兩家似乎都希望成為DRAM與NAND的一站式供應商，對標美光、三星、SK海力士等規模更大的對手——據報道，長江儲存也在探索DRAM生產。

從商業邏輯看，長鑫此時切入3D NAND的合理性存疑。3D NAND需要與DRAM完全不同的製程技術、製造經驗與裝置，投入資源的經濟回報並不明顯。長鑫是中國最主要的DRAM生產商，在多年虧損後，今年上半年錄得224.1億美元營收與115.7億美元淨利潤，但規模仍明顯小於三大儲存巨頭，在其已具備經驗、製程、晶圓廠與客戶的DRAM領域，擴張空間依然充足。與此同時，AI需求為長鑫聚焦先進DRAM及HBM3E提供了充分理由，這些產品在戰略價值上普遍被認為高於通用3D NAND。

不過，從中國政府推動半導體自給的視角看，把長鑫培育成中國第二家主要3D NAND生產商，幾乎完美契合其產業政策目標。長鑫由合肥市政府資金出資設立（IPO期間合肥方面持股37%），並獲得中國大基金支援，這意味著中央與地方政府對公司保持控制權，也可能影響其戰略決策。至於長鑫能否真正成為一家有競爭力的3D NAND廠商，則是另一個問題。

對關注AI產業鏈的讀者而言，這條訊息的意義不止於一家公司的產品線擴張。儲存是AI算力基礎設施的關鍵一環，高頻寬記憶體與快閃記憶體供給直接影響資料中心成本與部署節奏。若中國在DRAM與NAND兩條線上都形成有分量的本土供應商，全球儲存市場的供給結構與價格週期可能隨之變化，上游裝置與材料廠商也將面對新的訂單流向。但就目前而言，這仍是一條未經證實的規劃訊息，距離量產與市場影響落地還有相當距離。