韩国《首尔经济》10月18日报道，英伟达已要求三星电子、SK海力士与美光在供应客制化HBM（即NVHBM）时，将基础晶粒（Base Die）统一交由台积电以3纳米制程生产。三星经过评估后接受了这一规格要求。这意味着在英伟达的HBM供应链中，基础晶粒的代工环节被集中到台积电手中，而存储厂商则专注于存储堆叠。

三星之所以愿意让出基础晶粒的代工，核心原因在于其4纳米产线本已满载。若自行生产NVHBM的基础晶粒，势必要挤占现有产能；接受英伟达的规格、把基础晶粒交给台积电，反而能在不排挤既有产线的情况下争取NVHBM订单。这是一种以退为进的产能安排。

不过，三星并未全面放弃基础晶粒的自制。标准型HBM以及AMD等其他客户的客制HBM，仍维持从基础晶粒到堆叠的自家一站式模式。问题在于，这两条产品线共用1c Core Die产能，资源分配上存在此消彼长的压力；同时，基础晶粒改由外部代工后，三星在自家裸晶上的差异化空间也可能被压缩。这构成了其双轨产能配置的主要挑战。

从产业分工角度看，英伟达统一Base Die制程，等于把HBM客制化的关键一环标准化并收拢至台积电，存储厂商的角色更聚焦于DRAM核心晶粒与堆叠工艺。对台积电而言，这进一步巩固了其在先进制程代工上的枢纽地位；对三星、SK海力士与美光而言，则需要在满足客户规格与维持自身产能弹性之间重新平衡。后续值得观察的是，这一模式会否延伸至更多HBM世代，以及三星双轨配置下1c Core Die的产能分配如何落地。