光刻设备正成为半导体投资热潮中最紧俏的环节。10月21日，佳能披露增产计划，明年半导体光刻设备产量最高将接近今年的两倍；此前一天，尼康宣布启动更高精度数字光刻设备的研发，继续加码先进封装市场。而全球光刻机龙头ASML在第三季度财报中透露，客户对2027年、2028年的设备需求已超过现有扩产计划，甚至开始询问2029年、2030年的供货。

ASML计划明年将低数值孔径EUV和浸没式DUV产能各提高30%，并探索让后年的增幅超过30%。与此同时，与主要客户的定价谈判已经完成，部分关键产品将提价。公司预计今年低数值孔径EUV产出约65台，浸没式DUV原本计划减产，如今交付目标也调整到与上年相当的水平。要继续扩大供应，ASML还需调整现有厂房空间、缩短装配和测试时间，其埃因霍温新园区首期预计2029年才投入使用。

从需求结构看，存储客户成为重要拉动力。ASML预计今年面向存储客户的设备销售额将增长约75%，面向逻辑客户的增幅约为10%。美光10月21日公布了DRAM工艺安排：引入EUV的1γ工艺已进入量产，下一代1δ计划于2027年下半年放量。ASML解释存储业务增长时，明确提到客户扩产以及先进DRAM工艺中EUV使用增加这两项动力。

在接单节奏上，ASML已陆续收到2028年的订单，但对2029年、2030年的采购意向暂未接受正式订单。公司需要先汇总各家客户需求，再对照自身届时能够提供的产能安排分配，避免过早向部分客户承诺供货，挤占其他长期客户的份额。第三季度，ASML包含服务及现场选件的存量设备业务收入约33亿欧元，比指引高出约4亿欧元，超出的部分主要来自升级需求——客户通过升级已安装设备提高处理能力，不必先增加同等规模的厂房空间，就能获得新增晶圆产能。

ASML还计划在2027年初少量推出NXE:3800F，将每小时晶圆处理量从上一代的230片提高到260片；下一代关键层浸没式DUV设备也将把这一指标提高到330片。这些新机和升级产品也进入新一轮定价安排，提价主要针对高端量产产品，影响将在2027年部分体现、2028年充分体现，公司未公布统一涨幅。

尼康和佳能则在寻找差异化突破。10月13日，尼康公布数字光刻设备DSP-110，计划2027年4月发售。该设备采用无掩模数字光刻，不必为每套线路图形制作实体光掩模，能够处理大尺寸方形基板，同时支持300毫米晶圆。新机的线宽和间距分辨率为1.5微米，在510毫米×515毫米基板条件下每小时可处理72片，比前代提高约40%。尼康这次重新设计光学系统，优先提高生产速度，并扩大允许焦点偏移的范围，使设备更容易适应不同基板的表面条件。10月20日，尼康进一步宣布启动0.5微米数字光刻系统研发，并获得日本新能源产业技术综合开发机构的项目支持，目标是把不同层线路的对准误差控制在0.15微米以内，为现有产品指标的一半，但尚未给出上市时间表。

佳能则在扩大现有光刻设备供应之外，推进面向晶圆制造的纳米压印技术。10月1日，公司披露，自2023年推出纳米压印设备以来，采用设备的客户正进行量产线优化的最后调整。纳米压印把带有电路图形的模板直接压在晶圆表面的树脂上，转移出所需图案，省去复杂投影曝光的同时，接触过程带来了颗粒污染、模板损伤等问题。佳能工程师提到，方形模板处理圆形晶圆边缘时接触容易不稳定，团队不仅要调整压印过程，还要考虑后续刻蚀等步骤对图形的影响。公司尚未公布这些客户的量产规模、良率和正式投产时间。

上游配套也在加快布局。10月15日，德国通快公布截至今年6月底的财年业绩，EUV业务收入达到7.91亿欧元，同比增长9.2%，高于公司整体0.2%的增幅。通快为ASML供应高功率驱动激光器，并预计2026/27财年EUV业务订单和收入都将实现两位数增长。JSR方面，9月30日竣工的韩国梧仓工厂承担金属氧化物光刻胶（MOR）的最终生产工序，公司希望借此加强当地制造和质量保证，更快响应韩国主要客户的需求，并计划到2030年度将电子材料业务收入扩大到2025年度的1.7倍。

面向更远期的工艺演进，ASML与蔡司研究人员在10月发表的论文中提出了数值孔径至少为0.75的Hyper NA系统概念，高于目前高数值孔径EUV系统的0.55，研究目标之一是尽可能沿用现有光源、掩模和设备制造基础设施。双方尚未承诺将这一方案投入生产。

整体来看，前道曝光、封装布线和材料配套都在承接客户的新投入。现有设备升级已带来当期收入，新机扩产、产品发售和新工艺导入则各有进度。光刻产业的增长空间在扩大，但厂商能否把投入变成持续收入，还取决于交付、量产验证和稳定供货。