9月28日晚间，长鑫科技（688825.SH）连发两份投资公告：一项总投资241亿元的技术研发项目，以及总投资108亿元的存储器晶圆后道测试基地二期，单日合计349亿元。其中180亿元拟使用IPO超募资金，其余通过增资借款补足。

这家公司刚交出一份A股罕见的半年报。2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，而去年同期尚亏损23.32亿元。主营业务毛利率达到84.84%，经营性现金流净额1311.56亿元。

利润的成色与AI算力需求直接相关。全球DRAM供不应求，三星、SK海力士、美光将产能向HBM和服务器DDR5倾斜，通用存储产品留下结构性空缺，长鑫接住了这块市场。环比数据同样关键：一季度归母净利247.62亿元，二季度528.43亿元，环比增长113%，说明涨价带来的利润仍在加速释放。

市场份额同步上台阶。据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高；在三星、SK海力士、美光之后，长鑫存储份额已逼近10%，稳坐全球第四，季度销售收入环比增幅位列全球第一。

349亿元花在哪

研发项目总投资241亿元，建设周期30个月，聚焦DRAM制程工艺迭代。背景是长鑫刚完成关键一跃：9月，公司第五代DRAM工艺技术平台正式量产，依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。今年上半年研发投入68.59亿元，同比增长87.38%，241亿元相当于上半年研发投入的约3.5倍。

测试基地二期则指向更现实的瓶颈。公告直言，随着产能持续释放、产品矩阵丰富，外部封测产能不足、配套资源受限，已开始制约产能释放。这座总投资108亿元、建设周期37个月的测试工厂，建成后将承担DRAM晶圆测试和模组组装，补强IDM模式下的后道测试能力。

需要说明的是，349亿元是两个项目的规划总投资，其中180亿元拟使用超募资金。上市募资尚未花完，如今反手投入产线，没有新增债务，也没有稀释股东。

兆易创新加码关联交易

同一天，产业链下游给出佐证。9月29日晚，兆易创新公告，将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从57.11亿元上调至78.54亿元，原因是DRAM产品代工价格随市场行情上行。公司同时预计2027年1至4月的关联交易额度将达44.11亿元。

这组数字的分量需要换算：44.11亿元只是4个月的预计额度，已超过兆易创新2026年一季度的全部营收（41.88亿元），接近其2025年全年营收（92.03亿元）的一半。而2025年双方实际发生的关联交易只有约11.8亿元，一年时间额度膨胀至6.7倍。执行进度也藏有信号：2026年1至8月实际发生35.96亿元，距离78.54亿元上限还有42.58亿元空间，意味着四季度采购节奏大概率还要提速。轻资产设计公司加价抢代工产能，是卖方市场最典型的微观形态。

对面的价格

热闹的另一面是全球资本市场的报价。就在长鑫公告前后，美股存储板块集体下挫：美光收跌2.61%，SK海力士收跌5.03%，闪迪收跌3.65%，费城半导体指数收跌1.61%（盘中一度跌3%）。背景是10年期美债收益率盘中升至5.27%，创2007年以来新高，30年期升至5.57%，创2002年以来新高，高利率环境下高估值成长资产整体承压。A股这边，长鑫科技9月28日收盘跌4.27%，总市值3.65万亿元，仍稳居A股市值榜首。

基本面侧的信号同样值得记录：由于存储原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限，非长协订单的涨价空间正在逐季缩小，机构普遍预期三季度DRAM价格继续上涨但涨幅收窄。

周期视角下的349亿

DRAM是一条以深周期著称的赛道，价格暴涨与暴跌的振幅远超一般制造业，行业格局的洗牌几乎都发生在下行周期的扩产决策上。三星当年正是靠连续多个下行周期的逆周期投资，把日系对手挤出存储市场。

把长鑫的时间表摆进这个框架：测试基地二期建设周期37个月，投产节点大约落在2029年，恰好对应本轮紧缺缓解、供需重新寻底的窗口。届时手里有新产能、有第五代乃至第六代工艺、有自建测试体系的公司，和只赚过一轮涨价钱的公司，处境会完全不同。

长鑫的扩产也并非同质化堆量。巨头让出的通用DRAM结构性空缺、LPDDR6全球首次商用量产（首发小米18 Fold，峰值速率12800Mbps、最高容量16GB）、长鑫10667Mbps的LPDDR5X在努比亚NaviX Ultra上落地（国产该速率级产品首次量产应用），这些产品端卡位说明349亿元买的不只是产能，还有差异化位置。

接下来值得盯的不再是DRAM每季度涨几个点，而是三个更慢的变量：11.95纳米之后的第六代工艺何时点亮，78.54亿元的关联额度明年以什么速度执行完，以及2029年测试基地投产时行业正处在周期的哪个位置。