9月28日晚間，長鑫科技（688825.SH）連發兩份投資公告：一項總投資241億元的技術研發專案，以及總投資108億元的儲存器晶圓後道測試基地二期，單日合計349億元。其中180億元擬使用IPO超募資金，其餘通過增資借款補足。

這家公司剛交出一份A股罕見的半年報。2026年上半年，長鑫科技實現營業收入1503.1億元，同比增長873.64%；歸母淨利潤776.05億元，而去年同期尚虧損23.32億元。主營業務毛利率達到84.84%，經營性現金流淨額1311.56億元。

利潤的成色與AI算力需求直接相關。全球DRAM供不應求，三星、SK海力士、美光將產能向HBM和伺服器DDR5傾斜，通用儲存產品留下結構性空缺，長鑫接住了這塊市場。環比資料同樣關鍵：一季度歸母淨利247.62億元，二季度528.43億元，環比增長113%，說明漲價帶來的利潤仍在加速釋放。

市場份額同步上台階。據CFM快閃記憶體市場資料，2026年二季度全球DRAM市場規模1470.24億美元，環比增長55.9%，創歷史新高；在三星、SK海力士、美光之後，長鑫儲存份額已逼近10%，穩坐全球第四，季度銷售收入環比增幅位列全球第一。

349億元花在哪

研發專案總投資241億元，建設週期30個月，聚焦DRAM製程工藝迭代。背景是長鑫剛完成關鍵一躍：9月，公司第五代DRAM工藝技術平台正式量產，依託四重曝光技術將記憶體陣列有源區半間距微縮至11.95奈米。今年上半年研發投入68.59億元，同比增長87.38%，241億元相當於上半年研發投入的約3.5倍。

測試基地二期則指向更現實的瓶頸。公告直言，隨著產能持續釋放、產品矩陣豐富，外部封測產能不足、配套資源受限，已開始制約產能釋放。這座總投資108億元、建設週期37個月的測試工廠，建成後將承擔DRAM晶圓測試和模組組裝，補強IDM模式下的後道測試能力。

需要說明的是，349億元是兩個專案的規劃總投資，其中180億元擬使用超募資金。上市募資尚未花完，如今反手投入產線，沒有新增債務，也沒有稀釋股東。

兆易創新加碼關聯交易

同一天，產業鏈下游給出佐證。9月29日晚，兆易創新公告，將2026年度與長鑫集團的日常關聯交易預計額度從57.11億元上調至78.54億元，原因是DRAM產品代工價格隨市場行情上行。公司同時預計2027年1至4月的關聯交易額度將達44.11億元。

這組數字的分量需要換算：44.11億元只是4個月的預計額度，已超過兆易創新2026年一季度的全部營收（41.88億元），接近其2025年全年營收（92.03億元）的一半。而2025年雙方實際發生的關聯交易只有約11.8億元，一年時間額度膨脹至6.7倍。執行進度也藏有訊號：2026年1至8月實際發生35.96億元，距離78.54億元上限還有42.58億元空間，意味著四季度採購節奏大機率還要提速。輕資產設計公司加價搶代工產能，是賣方市場最典型的微觀形態。

對面的價格

熱鬧的另一面是全球資本市場的報價。就在長鑫公告前後，美股儲存板塊集體下挫：美光收跌2.61%，SK海力士收跌5.03%，閃迪收跌3.65%，費城半導體指數收跌1.61%（盤中一度跌3%）。背景是10年期美債收益率盤中升至5.27%，創2007年以來新高，30年期升至5.57%，創2002年以來新高，高利率環境下高估值成長資產整體承壓。A股這邊，長鑫科技9月28日收盤跌4.27%，總市值3.65萬億元，仍穩居A股市值榜首。

基本面側的訊號同樣值得記錄：由於儲存原廠與部分伺服器客戶已鎖定長協價格上限，非長協訂單的漲價空間正在逐季縮小，機構普遍預期三季度DRAM價格繼續上漲但漲幅收窄。

週期視角下的349億

DRAM是一條以深週期著稱的賽道，價格暴漲與暴跌的振幅遠超一般製造業，行業格局的洗牌幾乎都發生在下行週期的擴產決策上。三星當年正是靠連續多個下行週期的逆週期投資，把日系對手擠出儲存市場。

把長鑫的時間表擺進這個框架：測試基地二期建設週期37個月，投產節點大約落在2029年，恰好對應本輪緊缺緩解、供需重新尋底的視窗。屆時手裡有新產能、有第五代乃至第六代工藝、有自建測試體系的公司，和只賺過一輪漲價錢的公司，處境會完全不同。

長鑫的擴產也並非同質化堆量。巨頭讓出的通用DRAM結構性空缺、LPDDR6全球首次商用量產（首發小米18 Fold，峰值速率12800Mbps、最高容量16GB）、長鑫10667Mbps的LPDDR5X在努比亞NaviX Ultra上落地（國產該速率級產品首次量產應用），這些產品端卡位說明349億元買的不只是產能，還有差異化位置。

接下來值得盯的不再是DRAM每季度漲幾個點，而是三個更慢的變數：11.95奈米之後的第六代工藝何時點亮，78.54億元的關聯額度明年以什麼速度執行完，以及2029年測試基地投產時行業正處在週期的哪個位置。