英特尔正把先进封装布局延伸到Micro LED基板，并传出与台湾面板大厂友达光电展开合作，共同推进CPO（共同封装光学）与高密度算力芯片的整合方案。据台湾《经济日报》9月21日报道，业界人士透露，英特尔已取得名为「IC Package with Micro LEDs」的美国授权专利，指向光电异构集成这一技术路线。

该专利的核心做法，是把半导体芯片至少部分嵌入玻璃基板内，并在玻璃基板中同步嵌入贯穿玻璃通孔（TGV），让TGV与芯片电耦合、为Micro LED供电。这样一来，Micro LED与IC封装实现深度整合，无需额外外接元件，就能在封装层面完成芯片工作状态可视化、定制化光效显示，乃至原位光电测试。业界人士认为，其意义在于把先进封装与Micro LED跨界融合，为CPO及高密度算力封装提供光电异构集成方案。这与当前主流显示玻璃基工艺有本质差异：传统路线采用单面玻璃背板，驱动IC以COG方式绑定在玻璃正面边缘，不需要TGV通孔，技术复杂度与集成度都低于英特尔所指的封装级应用。

友达之所以被视为潜在合作对象，在于其多年积累的技术壁垒。董事长彭双浪此前在法说会上表示，友达凭借近30年玻璃制程经验，在RDL（重布线层）与TGV方面具备高度技术能力，并拥有异质整合研发能量；相关技术已延伸至低轨卫星玻璃天线及Micro LED相关的CPO封装，玻璃基板业务也在推进，且已有合作伙伴。业界透露，友达正围绕Micro LED CPO＋玻璃基板＋RDL＋光互连展开系统性布局，与英特尔专利描绘的路线重叠度相当高，这被认为是英特尔主动寻求合作的直接原因。彭双浪还称，今年采用Micro LED的产品种类将较去年增加，并已启动包含TGV、RDL及CPO技术在内的试产线投资准备，显示相关技术正从研发走向量产布局。

这一潜在合作是英特尔先进封装战略全面提速的一环。业界人士指出，英特尔持续在EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）系列技术上发力，积极争抢台积电CoWoS产能外溢订单，同时引入具备平整度高、耐高温、热膨胀系数低及信号损耗低等优势的玻璃基板应用，近期更跨入Micro LED基板先进封装。

从产业含义看，在AI算力需求持续扩张的背景下，CPO被视为突破高密度芯片互连瓶颈的关键路径，而把Micro LED光源直接集成到封装基板，有望在光电信号转换效率与系统集成度上取得突破。对英特尔而言，专利卡位与外部合作并举，意在为代工业务提供差异化技术背书；对友达而言，则是从显示面板向高价值先进封装转型的窗口。不过，目前合作仍属业界传闻，具体落地形式与时间表尚待双方确认，玻璃基板与Micro LED封装的量产良率、成本与生态配套也仍是需要观察的变量。