一条关于N7/N5开发背面供电网络（BSPDN）的产业消息，让“背面供电”重新进入市场视野。9月18日，知名韩国半导体博主Jukan转述称，某中国先进制程企业据称正在为N7和N5节点开发BSPDN。不过，该企业目前并未公开确认相关量产计划，相关说法此前也主要来自韩国ETNews等产业媒体，因此仍需要更多验证。

BSPDN原本更多出现在全球最先进制程的讨论中。Intel把PowerVia导入18A，台积电则计划在A16中采用Super Power Rail，背面供电已经成为2nm及以下制程的重要技术方向。它通过把供电网络移到芯片背面，释放正面布线空间，降低继续压缩金属线路的压力。

对EUV受限的中国先进制程而言，这一技术的意义更为特殊。BSPDN不能替代EUV，但它可以在原有DUV、多重曝光之外，增加一种新的“解题方式”。表面看，它只是全球2nm时代的一项新工艺，但对无法自由获取EUV设备的中国厂商来说，任何能缓解正面布线压力的工艺路径都值得关注。

需要指出的是，目前关于中国厂商开发BSPDN的说法仍处于传闻阶段，缺乏企业官方确认，量产时间表与具体节点规划均不明确。背面供电本身也面临工艺复杂度高、良率控制难等挑战，从开发到量产之间仍有较长距离。

从产业角度看，若中国先进制程企业确实在推进BSPDN，说明其在EUV受限条件下正尝试多条技术路线并行，以维持制程演进能力。这一动向对先进制程设备、材料以及代工竞争格局的潜在影响，值得持续跟踪。