一條關於N7/N5開發背面供電網路（BSPDN）的產業訊息，讓“背面供電”重新進入市場視野。9月18日，知名韓國半導體博主Jukan轉述稱，某中國先進製程企業據稱正在為N7和N5節點開發BSPDN。不過，該企業目前並未公開確認相關量產計劃，相關說法此前也主要來自韓國ETNews等產業媒體，因此仍需要更多驗證。

BSPDN原本更多出現在全球最先進製程的討論中。Intel把PowerVia匯入18A，台積電則計劃在A16中採用Super Power Rail，背面供電已經成為2nm及以下製程的重要技術方向。它通過把供電網路移到晶片背面，釋放正面佈線空間，降低繼續壓縮金屬線路的壓力。

對EUV受限的中國先進製程而言，這一技術的意義更為特殊。BSPDN不能替代EUV，但它可以在原有DUV、多重曝光之外，增加一種新的“解題方式”。表面看，它只是全球2nm時代的一項新工藝，但對無法自由獲取EUV裝置的中國廠商來說，任何能緩解正面佈線壓力的工藝路徑都值得關注。

需要指出的是，目前關於中國廠商開發BSPDN的說法仍處於傳聞階段，缺乏企業官方確認，量產時間表與具體節點規劃均不明確。背面供電本身也面臨工藝複雜度高、良率控制難等挑戰，從開發到量產之間仍有較長距離。

從產業角度看，若中國先進製程企業確實在推進BSPDN，說明其在EUV受限條件下正嘗試多條技術路線並行，以維持製程演進能力。這一動向對先進製程裝置、材料以及代工競爭格局的潛在影響，值得持續跟蹤。