评分 6/10三星前工程师爆料:长鑫存储DRAM技术靠窃密而非自研三星前工程师称长鑫存储DRAM核心技术零自研,全赖窃密。来源:TechNews 科技新报·2026-08-27 08:55 北京·#芯片字号AAAA订阅《读懂AI时代》每早 8 点一封,昨天 AI 圈大事一次读完。免费。邮箱地址订阅本条暂无中文扩展报道,可点击下方按钮直达原文。阅读原文 · TechNews 科技新报 ↗延伸阅读相关深度报道AI 一周回顾(8 月 24 日–30 日):英伟达 962 亿财报、四家中国模型同周开源、Anthropic 冲刺 2 万亿 IPO系列 · 中国AI深度芯片管制三年总清算:华盛顿到底给自己买到了几个月?系列 · 中国AI深度十万卡「登峰」:曙光8000落成,全国产算力的真实成色相关每日新闻AMD 与 Meta 单日齐涨约 10%,AMD 首破万亿美元市值2026-09-22Gimlet Labs 完成 3 亿美元融资,以芯片配对策略优化 AI 推理2026-09-22AMD 扩展受监管 AI 基础设施角色,股价上涨 24.7%2026-09-22英伟达与美光:AI 缺货潮下谁的收款方式更稳妥?2026-09-22美光约四成营收将受价格上限约束2026-09-22