10月10日,第四屆整合晶片和芯粒大會在上海舉行,長鑫科技總裁曹堪宇在會上介紹了公司在DRAM器件、4F²架構和混合鍵合三個方向的進展,並預告年底推出採用這些技術的新一代DDR5伺服器記憶體條。三天後的10月13日,全球儲存板塊出現集體下挫:韓國綜合股價指數收跌5.5%,SK海力士跌10%,三星電子跌7.4%;美股開盤後美光跌約4%,創一個月新低;東京市場鎧俠控股跌13%。
一家全球份額仍在個位數的中國儲存公司,靠一場技術預告便讓壟斷DRAM多年的三家巨頭同時承壓,這是本次事件最受關注之處。CNBC在解釋當日下跌時提到了長鑫科技,並指出長鑫今年7月登陸上海科創板,首日股價飆升近466%,一度成為中國市值最高的上市公司,此後市場最關心的是它能否縮小與美光、三星和SK海力士的技術差距,尤其是在HBM這一AI晶片關鍵部件上。日經中文網的歸因更直接:市場擔心競爭加劇後,美國和韓國企業的定價能力與毛利率會被擠壓;馬斯克10月12日關於中國一旦確立製造方法、擴產能力將超過其他所有國家總和的表態,也被日經列為打壓市場情緒的因素之一。
不過,把三巨頭股價下跌全部指向長鑫的技術威脅顯然過於簡單。瑞士聯合私人銀行分析師Bei Fu對彭博表示,投資者可能只是借長鑫的新訊息,在儲存股大漲一年後了結利潤。獨立投資研究機構晨星認為,長鑫若成功並提前把4F²用到生產上,競爭地位會大幅提升,但從釋出產品到良率足以賺錢的量產,中間還有很長一段時間。
要理解4F²架構的分量,需要先弄清F的含義。F是DRAM的特徵尺寸,可粗略理解為光刻機能畫出的最細線寬,行業用一個儲存單元佔多少個F平方來衡量大小,目前主流是6F²。4F²是把單元面積壓縮到4個F平方,同樣線寬下儲存陣列能省出約三分之一的地盤,同一塊矽片上多塞進三到五成的儲存單元。再往下在二維平面上已無空間,4F²因此被視為平面DRAM的密度極限,繼續往上只能走向立體化,或像3D NAND那樣層層堆疊。
與6F²採用水平溝道電晶體不同,4F²改用垂直包圍柵電晶體(VSG),把原本平躺的電晶體豎起來,讓柵極從四面圍住,以解決漏電和短溝道效應問題。長鑫圍繞4F²已公開300餘項專利族,早在2023年就展示過8Gb全陣列研究樣品。值得注意的是,長鑫沒有選擇消費級記憶體,而是瞄準伺服器用的DDR5 RDIMM,即帶暫存器的伺服器記憶體條,相關產品計劃年底推出。
一個容易被忽略的技術細節是,更先進的4F²並不必然代表更大的儲存密度。只要4F²的線寬不超過6F²的約1.22倍,兩者儲存密度就能打平。對拿得到EUV光刻機的廠商來說,4F²是省錢的辦法,SK海力士有研究員測算,轉向垂直柵或3D結構後EUV光刻成本可降到傳統6F²的一半以下;而對拿不到EUV的長鑫來說,用更密的單元換密度,是它在DUV裝置上為數不多的路徑。
三家巨頭在4F²上的進度也沒有外界想象中那麼靠前。今年2月,三星在ISSCC會議上發表過一顆16Gb的4F²設計,同樣採用垂直溝道電晶體和晶圓對晶圓混合銅鍵合;今年4月,韓媒The Elec報道三星在亞10奈米的10a工藝上做出可工作的4F²裸片,量產目標定在2028年,不過後續韓媒報道讓這一時間表變得有些模糊。SK海力士今年在VLSI會議上公佈了4F²垂直柵極平台路線圖,匯入節點排在10b,比三星晚一代。美光公開資訊最少,其路線偏向直接押注3D DRAM。整體來看,三家都在推進4F²,但沒有一家實現大規模商用,這正是長鑫一句年底見產品能引發拋售的底層原因。
長鑫把產品落點選在伺服器RDIMM還有一層算計。長鑫起家做的是消費級記憶體和LPDDR,而伺服器RDIMM是目前利潤率最高的一塊,也是韓國廠商最少遇到中國競爭的地方。
長鑫的起點算不上高,做DRAM滿打滿算才十年。公司2016年由合肥國資主導啟動專案,2019年9月推出自主設計的8Gb DDR4,中國大陸的DRAM產業才算完成從零到一。今年7月27日,長鑫科技登陸科創板,首日收漲465.82%,市值突破3.3萬億元,一度成為A股市值最高的公司,募資總額在超額配售選擇權全額行使後達666.07億元,超過中芯國際2020年創下的532億元紀錄。在AI掀起的全球性儲存荒下,長鑫業績同步跳漲,2026年一季度營收約508億元,同比增長719.13%,歸母淨利潤約247.62億元。
支撐估值的還有份額和產能兩條曲線。據Omdia統計,2025年四季度長鑫全球DRAM銷售額份額為7.67%,位列全球第四;滙豐銀行10月上旬的報告給出的數字是約10%,一年前約為4%。產能上,長鑫已擁有合肥兩座12英寸廠加北京亦莊一座廠,截至今年8月合計月產能約30萬片晶圓。
差距同樣擺在明面上。長鑫主力出貨的DDR5和LPDDR5X基於17奈米工藝量產,工藝水平落在韓廠兩年前的位置;HBM產線2026年下半年才啟動建設,尚未大規模量產。晨星提到的時間差是真實的:伺服器客戶認證一款新記憶體以季度計,採用全新單元架構的產品會被逐項拆解,首批產品可能只在部分環節採用4F²。考慮到目前距2026年結束只剩十來周,長鑫的年底見既可能指樣品進了某家雲廠商的實驗室,也可能指產品真正上了價目表。
從產業視角看,這次三巨頭股價波動最值得記住的或許不是數字變化,而是定價物件的轉變。過去十年,中國儲存廠商一直是被定價的一方,行業景氣度、原廠報價、裝置禁運每一項都由別人決定。現在,長鑫第一次站到能影響別人估值的位置,儘管這份影響還停留在預期層面。DRAM行業四十年,後來者一直沿著前人的車轍前進,路線圖和價格長期由三家原廠主導。長鑫這次搶到的是一個不同的身位:它未必領先,卻第一次讓對手需要把它的技術進度寫進自己的時間表。剩下的,只有交給不看釋出會的良率、產能與認證週期。