据韩国《每日经济新闻》报道，三星电子已为其位于得克萨斯州泰勒市的第二座半导体工厂锁定全部规划产能的客户，AMD与英伟达将在此生产高带宽内存（HBM）所需的基础裸片。报道称，AMD获得了其中大部分承诺产能。三星未立即回应置评请求。

这座工厂将生产HBM基础裸片，这是AI加速器的关键组件之一。报道称，三星预计在该厂采用2纳米生产工艺，厂区面积约270万平方英尺。设备安装预计从2029年2月开始，量产则要等到2030年。

从产业背景看，HBM已成为AI芯片性能竞赛的核心瓶颈之一。英伟达等AI加速器厂商对HBM的用量与规格要求持续抬升，而基础裸片是HBM堆叠结构中承载逻辑与控制功能的部分，其制造工艺与产能直接关系到HBM的供应节奏。三星既是存储大厂，又拥有代工业务，理论上具备存储与逻辑工艺协同的条件，但此前在HBM竞赛中面临SK海力士等对手的挤压。

这笔订单的意义在于，它显示头部AI芯片厂商正在提前锁定专用制造产能。对三星而言，获得AMD与英伟达的长期承诺，有助于其在先进芯片制造领域争取更多业务，并巩固竞争地位。不过，报道也指出，这些承诺并不会立即提升三星在晶圆代工或HBM市场的份额——产能真正释放要等到2030年前后，期间技术路线、客户需求与竞争格局都可能变化。

接下来值得关注的催化剂包括：客户协议的正式确认、得州工厂的建设进度，以及该厂按计划转向商业量产的时间表。对关注AI产业链的读者来说，这条消息更多反映的是产能锁定这一长期趋势，而非短期份额变化。