英伟达 CEO 黄仁勋周四在 CNBC 采访中表示，到 2029 年内存供应出现过剩的可能性不大。这一表态正值内存股过去一周集体承压之际——市场对供过于求和需求走弱的担忧升温。黄仁勋是在公司 GTC 柏林大会期间接受采访时作出上述判断的，他认为内存的一个关键特性是“永远可以多用”，需求端并不存在天然天花板。

他特别提到 HBM（高带宽内存）在未来数年内仍会被持续使用。黄仁勋还称，英伟达是全球第一家把手机中常见的 LPDDR 内存引入数据中心的企业，这一做法让公司能够交付能效达到当今世界同类产品两倍的性能，因此英伟达会继续大量使用这类内存。

内存股近期的抛售有多重触发因素。10 月 15 日，韩国一家知名媒体刊发专栏文章，呼吁韩国政府为 AI 热潮降温做好准备。文章援引两位专家观点称，大量新增供给将涌入，到 2029 年内存市场会变成“红海”，超级周期可能终结、行业或进入下行。特斯拉与 SpaceX 的 CEO 马斯克当时回应称，中国将在 2028 年生产大量内存。

另一重压力来自中国长鑫存储（CXMT）。该公司公布了新的设计架构，可能带来更高效率，投资者担心其会从 SK 海力士、三星、美光手中夺取份额。被问及是否计划与长鑫合作并使用其内存产品时，黄仁勋表示英伟达持开放态度。他说，英伟达与中国企业有合作，全球供应链几乎都或多或少与中国公司打交道；中国在基础基础设施技术方面非常出色，在制造上也没有哪个国家整体上比中国更强，因此必须认真对待中国的能力。

黄仁勋还就中国半导体进展发表看法，认为美国不断加码的监管反而推动中国加快自主芯片技术与制造能力建设。美国目前限制最先进半导体对华出口，包括英伟达的高端芯片，但有中国企业通过东南亚的数据中心绕开限制获取算力，专家认为这对中国 AI 模型能力提升起到了关键作用。黄仁勋直言，监管确实加速了中国在半导体制造国产化及产业支持方面的进程。他同时强调，美国科技公司实力强劲，已准备好应对来自任何一方的竞争。

从产业视角看，黄仁勋的表态与近期市场对存储周期的悲观定价形成对照。内存是英伟达芯片的核心组件，供给过剩会压低价格并冲击 SK 海力士、三星、美光等制造商的利润率；但若 AI 算力需求持续扩张，HBM 与 LPDDR 的用量可能继续攀升。长鑫存储的进展则提醒市场，存储供给格局并非静态，中国厂商的技术追赶与产能释放是中期不可忽视的变量。黄仁勋对合作持开放态度、并强调中国制造能力的表态，也反映出英伟达在供应链多元化与地缘政治约束之间的平衡姿态。