美银证券分析师Simon Woo在最新内存行业研报中指出，渠道调研证实2026年三季度内存价格涨势强劲：尽管长期协议占比上升，大多数DRAM产品三季度均价仍环比上涨20-30%，NAND涨幅超过15%；四季度均价预计至少还有低个位数增长。

更受关注的是买方行为的变化。研报称，超大规模云厂商已签订新合同，同意在2027年一季度支付高于2026年四季度的DRAM价格。这意味着云厂商不再等待价格回落，而是主动接受涨价并将其锁定进合同，为存储原厂未来几个季度的定价提供了更强的可见度。

基于持续的内存供应短缺以及部分OEM和大型科技公司更积极的采购行为，美银上调了2027-2028年的价格假设：DRAM均价上调8-12%，新预测中2027年均价约为每8Gb当量17.1美元、2028年约16.2美元；NAND均价上调2-3%，2027年约10.0美元/256Gb当量、2028年约8.7美元。2026年下半年的预测则维持不变。

不过美银并不认为涨价会一路持续。分析师预计2028年均价将较2027年下跌约10%，其中DRAM下跌5%、NAND下跌13%，并将其解读为2029-2030年新一轮增长前的软着陆阶段，届时增长将由更先进的AI芯片以及采用高端内存的GPU/ASIC驱动。

供给约束是这轮涨价的核心逻辑。研报数据显示，2026年DRAM供需充足率仅约79%，远低于100%的平衡线，直到2027年才逐步回升至接近均衡；NAND情况类似，2026年充足率约80%，2027年才恢复至102%左右。与此同时，PC和智能手机年初至今的减产幅度并不严重，出货量同比仅下降约10%，说明终端需求并未大幅崩塌，供需缺口主要来自AI服务器的强劲拉动。

服务器端，尤其是AI服务器对HBM（高带宽内存）的需求，已占到DRAM总出货量的50%以上。美银预计2026年HBM市场规模达774亿美元，同比增长124%，2027年进一步扩张至1528亿美元。

在更长期维度上，美银将2030年全球内存市场（DRAM+NAND）总规模预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元。分析师承认，这一数字相比2018年云热潮峰值0.17万亿美元、2025年回升时的0.21万亿美元增长了约10倍，投资者可能存疑，并给出五点支撑理由：截至2026年三季度年化运行率已超过1.0万亿美元；2026年ASP或合约价同比上涨3-4倍而销量增长20%以上；全球供应紧张与AI芯片需求使得到2030年降价有限；2026-2030年年度bit增长保持高两位数；HBM、SOCAMM、eSSD等先进AI解决方案份额提升带动结构改善。

美银还表示，不预期新GPU/ASIC出现降规或更低内存含量，反而假设内存含量进一步提升：Rubin Ultra每颗达1000GB，新Rubin为384GB，而当前为288GB。该行预测2027-2030年DRAM+NAND合计销售额年复合增速达21%，2030年销售额达1.4万亿美元，而2026年为0.9万亿美元。

此外，美银自建的“内存景气指数”综合追踪均价、收入、现货价格及出口的同比增长动能。分析师称该指数7月维持在创纪录的180，而周期中位水平为100，2017-18年的峰值仅为120，并预计8月至9月数据仍将保持强劲，韩国半导体出口及中国台湾南亚科技、群联电子的月度销售额同比增幅均超过100%。