美銀證券分析師Simon Woo在最新記憶體行業研報中指出，渠道調研證實2026年三季度記憶體價格漲勢強勁：儘管長期協議佔比上升，大多數DRAM產品三季度均價仍環比上漲20-30%，NAND漲幅超過15%；四季度均價預計至少還有低個位數增長。

更受關注的是買方行為的變化。研報稱，超大規模雲廠商已簽訂新合同，同意在2027年一季度支付高於2026年四季度的DRAM價格。這意味著雲廠商不再等待價格回落，而是主動接受漲價並將其鎖定進合同，為儲存原廠未來幾個季度的定價提供了更強的可見度。

基於持續的記憶體供應短缺以及部分OEM和大型科技公司更積極的採購行為，美銀上調了2027-2028年的價格假設：DRAM均價上調8-12%，新預測中2027年均價約為每8Gb當量17.1美元、2028年約16.2美元；NAND均價上調2-3%，2027年約10.0美元/256Gb當量、2028年約8.7美元。2026年下半年的預測則維持不變。

不過美銀並不認為漲價會一路持續。分析師預計2028年均價將較2027年下跌約10%，其中DRAM下跌5%、NAND下跌13%，並將其解讀為2029-2030年新一輪增長前的軟著陸階段，屆時增長將由更先進的AI晶片以及採用高階記憶體的GPU/ASIC驅動。

供給約束是這輪漲價的核心邏輯。研報資料顯示，2026年DRAM供需充足率僅約79%，遠低於100%的平衡線，直到2027年才逐步回升至接近均衡；NAND情況類似，2026年充足率約80%，2027年才恢復至102%左右。與此同時，PC和智慧手機年初至今的減產幅度並不嚴重，出貨量同比僅下降約10%，說明終端需求並未大幅崩塌，供需缺口主要來自AI伺服器的強勁拉動。

伺服器端，尤其是AI伺服器對HBM（高頻寬記憶體）的需求，已佔到DRAM總出貨量的50%以上。美銀預計2026年HBM市場規模達774億美元，同比增長124%，2027年進一步擴張至1528億美元。

在更長期維度上，美銀將2030年全球記憶體市場（DRAM+NAND）總規模預測從1.8萬億美元上調至2.0萬億美元。分析師承認，這一數字相比2018年雲熱潮峰值0.17萬億美元、2025年回升時的0.21萬億美元增長了約10倍，投資者可能存疑，並給出五點支撐理由：截至2026年三季度年化執行率已超過1.0萬億美元；2026年ASP或合約價同比上漲3-4倍而銷量增長20%以上；全球供應緊張與AI晶片需求使得到2030年降價有限；2026-2030年年度bit增長保持高兩位數；HBM、SOCAMM、eSSD等先進AI解決方案份額提升帶動結構改善。

美銀還表示，不預期新GPU/ASIC出現降規或更低記憶體含量，反而假設記憶體含量進一步提升：Rubin Ultra每顆達1000GB，新Rubin為384GB，而當前為288GB。該行預測2027-2030年DRAM+NAND合計銷售額年複合增速達21%，2030年銷售額達1.4萬億美元，而2026年為0.9萬億美元。

此外，美銀自建的“記憶體景氣指數”綜合追蹤均價、收入、現貨價格及出口的同比增長動能。分析師稱該指數7月維持在創紀錄的180，而週期中位水平為100，2017-18年的峰值僅為120，並預計8月至9月資料仍將保持強勁，韓國半導體出口及中國台灣南亞科技、群聯電子的月度銷售額同比增幅均超過100%。