全球DRAM市场三大巨头——三星、SK海力士与美光——正面临一场新的法律风暴。上周，三家公司在美国加州联邦法院被提起集体诉讼，指控它们以向人工智能所需的高带宽内存（HBM）战略转型为掩护，协同压缩传统DRAM产能，人为制造供给短缺，推动商用内存价格在过去四年间累计暴涨约700%。

诉讼于6月25日正式提交，原告方涵盖在此轮涨价周期内购买含商用DRAM产品的消费者与企业。诉状将苹果公司近期对iPad和Mac产品线的全面提价列为直接损害案例，称上游内存供给缺口已通过产业链层层传导，最终由终端用户承担成本。原告指控三家公司协同削减DDR3、DDR4等传统内存产能，制造出被形容为“RAMpocalypse”（内存末日）式的价格飙升局面。

本案的法律论据并非凭空构建。诉状明确援引了三星与SK海力士在2000年代的刑事价格操纵案前科。当时两家公司就美国司法部提起的指控认罪，合计缴纳7.31亿美元罚款，多名高管被判处监禁。原告方借此试图向法庭呈现三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式，以强化当前指控的可信度。这一历史记录使得被告方面临更高的法律与舆论成本，也为原告提供了较为有力的参照依据。

从产业逻辑看，HBM作为AI芯片的关键配套内存，需求随大模型训练与推理爆发而激增，三大厂商确实在加速将产能向HBM倾斜。但诉状的核心质疑在于：这一转型是否被用作压缩传统DRAM供给、维持超高定价的协同工具。若指控成立，其影响将远超法律层面，可能触发监管机构对内存市场竞争秩序的重新审视，甚至迫使厂商调整产能分配策略。

与诉讼进程并行的，是市场对内存价格走势的持续悲观预期。Jefferies预计，2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%，第四季度继续环比上行30%至40%；进入2027年，全年价格同比仍将增长40%至45%，价格实质性放缓最早要等到2028年。包括联想在内的多家企业已公开表示，内存高价将成为“新常态”。

这意味着，无论诉讼最终走向如何，下游企业与终端消费者面临的成本压力都将在相当长的周期内延续。消费电子、服务器及企业IT采购的成本结构将持续承压，而AI基础设施的大规模建设又进一步加剧了HBM与传统DRAM之间的产能博弈。这场诉讼不仅是对三家巨头定价行为的法律审视，更是对整个AI时代内存供应链脆弱性的一次公开拷问。