據路透社報道，SK海力士正以在美國新建3D NAND工廠為條件，要求美國政府批准向其位於中國大連的工廠出口更多半導體制造裝置。這一訊息讓上月關於Solidigm考慮赴美建廠的傳聞有了新的解讀——它並非單純的產能擴張，而更像是一場精心設計的交換。

Solidigm是SK海力士旗下的NAND快閃記憶體子公司。其大連工廠是全球唯一生產192層浮柵3D NAND的設施，產品用於面向AI、企業和超大規模資料中心的固態硬碟。該工廠的運轉高度依賴美國裝置供應商，包括應用材料、KLA和泛林，這些裝置對華出口均需美國政府發放許可證。

美國當局通常允許三星、SK海力士等跨國企業在中國運營的晶圓廠獲得部分工具，但政策意圖僅限於維持現有產線運轉，反對在華工廠擴產或引入新的製造技術。Solidigm已為額外裝置申請出口許可，但美方尚未放行。據路透社，美國商務部去年12月向SK海力士發放了針對2026年的有限裝置交付授權，但尚未就2027年給出類似的出口許可。

SK海力士的提議是：如果美方批准向大連廠交付所需裝置，公司將在美國建設一座3D NAND工廠。這恰好可以填補特朗普政府推動半導體制造迴流美國的一項空白——美國已多年沒有公司在本土生產NAND快閃記憶體。

具體來看，Solidigm希望在其大連Mod B廠房的閒置區域安裝更多製造裝置。該廠房於2023年完工，但當時因儲存市場低迷，公司始終未將其完全裝備，部分生產工具已就位，仍有大量空間可用。由於Solidigm目前生產的每一塊固態硬碟都能售出，閒置產能意味著收入流失。公司方面還認為，由於廠房2023年已建成，在其中安裝裝置並不構成產能擴張。

從財務邏輯看，在中國增加NAND產量可產生利潤，用於為擬議中的美國工廠融資，並在美國本土產能就緒前支撐公司運營。Solidigm還在考慮最早於2027年啟動首次公開募股以籌集額外資金。

Solidigm此前已確認將繼續開發浮柵3D NAND技術。在Computex 2026期間接受Tom's Hardware採訪時，負責Solidigm AI解決方案與生態業務的Avi Shetty表示，公司計劃在現有192層技術基礎上開發第五代和第六代浮柵NAND，並強調最大化工廠利用率和盈利能力的重要性。但他當時並未透露大連工廠的擴產計劃，更未提及美國新廠。

這一事件折射出儲存晶片行業在地緣政治與商業利益之間的微妙平衡。對SK海力士而言，大連廠的閒置空間是現成的收入來源，而美國建廠則是換取裝置出口許可的籌碼；對美國政府而言，既要維持在華外資工廠運轉以避免供應鏈劇烈波動，又要防止先進製造技術流向中國。雙方的博弈結果，將影響AI資料中心所需NAND快閃記憶體的長期供應格局，也關係到美國裝置商在華業務的可持續性。