ASML 正試圖為其下一代 High NA 極紫外（EUV）光刻裝置開啟更大的晶片畫布。據路透社 2026 年 9 月 8 日報道，這家荷蘭裝置商計劃與台積電、輝達、英特爾、三星和 SK 海力士等主要客戶合作，對 High NA EUV 工具進行調整，使其能夠印製尺寸更大的資料中心晶片。

這一合作針對的是一個具體的技術瓶頸：相比 ASML 已大規模部署的標準 EUV 裝置，新一代 High NA 機器使用的掩膜尺寸更小，從而限制了單次曝光的芯片面積。對於動輒追求更大裸片面積的資料中心處理器而言，這一限制直接影響製造效率與成本。

ASML 給出的時間表是：2031 年建成採用更大掩膜的試產線，2033 年具備高量產（HVM）條件。公司技術長 Marco Pieters 表示，相關改動有望將這些系統的生產率提升約 40%。

從產業鏈角度看，這一專案對 ASML 和台積電各有一層意義。對 ASML 而言，更大掩膜意味著 High NA 路線圖可以突破當前的晶片尺寸天花板，從而擴大下一代裝置的潛在需求；台積電的參與則為其商業化提供了明確路徑。台積電計劃從 2030 年起在先進製程高量產中引入 High NA EUV，這一承諾讓 ASML 對未來裝置需求擁有更高的可見度。對台積電而言，儘早匯入有望幫助其在先進晶片製造上維持優勢，併為下一代 AI 晶片的製造工藝提前鋪路。

不過，這項合作距離貢獻財務業績仍有數年之遙。台積電的高量產計劃始於 2030 年，ASML 的更大掩膜試產線在 2031 年、高量產在 2033 年，因此短期內兩家公司都難以從中獲得收入。與此同時，技術過渡本身也伴隨執行風險：ASML 需要開發並驗證適用於 High NA 系統的更大掩膜，台積電則需要把該技術整合進高量產流程，任何延遲或技術問題都可能推遲預期的生產率提升與收入機會。

更廣泛地看，更大掩膜方案不只涉及 ASML 的光刻裝置，還需要新的掩膜基礎設施與生產工藝配合。如果晶片製造商認為採用成本高於預期收益，ASML 可能面臨 High NA 採用放緩，台積電也可能推遲其既定匯入計劃。

資金面上，據 Insider Monkey 資料庫，ASML 的對沖基金持有者數量在第二季度從第一季度的 133 家增至 140 家，合計持倉價值從 163.8 億美元升至 217.7 億美元；台積電同期持有基金數從 234 家增至 249 家。同為半導體裝置商的 Applied Materials 持倉價值增幅更大，從 103.3 億美元升至 167.1 億美元，持有者數量則大致持平於 137 家（前值 138 家）。

綜合來看，更大掩膜有望擴充套件 ASML High NA EUV 技術的商業潛力，台積電的計劃採用也可能幫助其以更高生產率製造更大、更先進的資料中心晶片。但真正的財務回報仍需數年，且取決於兩家公司能否順利完成這次技術過渡。