评分 6/10MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片MemSilicon完成国际首款高密度大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片,采用CMOS标准工艺兼容的1TnR路线。来源:量子位 QbitAI·2026-10-14 14:24 北京·#芯片字号AAAA订阅《读懂AI时代》每早 8 点一封,昨天 AI 圈大事一次读完。免费。邮箱地址订阅本条暂无中文扩展报道,可点击下方按钮直达原文。阅读原文 · 量子位 QbitAI ↗延伸阅读相关深度报道系列 · 中国AI深度华为用「连」补「算」:十万卡集群利用率从20%提到35%,差距补回了多少系列 · 中国AI深度芯片管制三年总清算:华盛顿到底给自己买到了几个月?系列 · 中国AI深度十万卡「登峰」:曙光8000落成,全国产算力的真实成色相关每日新闻SemiAnalysis:2027 年全球新增資料中心容量將達 51.2 GW、按年翻倍2026-10-20英伟达发布硅中介层光学封装原型,瞄准2028年Feynman平台2026-10-20亚马逊狂扫英伟达GB300致自由现金流转负,今年资本支出上看2000亿美元2026-10-20高盛维持长鑫科技买入评级,目标价上调至130元2026-10-20AI科技股大幅回调,徐小庆将分享四季度大类资产配置研判2026-10-20