AI 需求正在重塑半导体价值链的定价格局。据 Kurnal Insights 的测算，按单位面积价值计算，DRAM 晶圆的价值已高于台积电用于制造计算芯片的 N3 与 N2 工艺晶圆。这一观察由 Tom's Hardware 报道，核心结论是：在 AI 驱动的存储需求下，存储芯片每平方毫米硅片所能产生的收入，已经超过先进逻辑代工晶圆的代工价格。
具体来看，Kurnal Insights 基于媒体泄露信息估算，一片采用台积电 N3 工艺的 300 毫米晶圆价格约为 2 万美元，折算约 0.283 美元/mm²；而 N2 晶圆价格假设为 3 万美元，约 0.424 美元/mm²。这些数字属于非官方信息，且未考虑晶圆边缘不可用部分、切割、测试结构、缺陷与良率，因此只能视为名义晶圆面积价格，而非实际可用硅片的成本。
DRAM 的算法则不同。Kurnal 假设 DRAM 价格为 1.50 美元/Gb，再乘以不同世代的位密度。1y DRAM 密度为 0.219 Gb/mm²，对应 0.329 美元/mm²；1z DRAM 密度 0.273 Gb/mm²，对应 0.410 美元/mm²；1b DRAM 密度 0.436 Gb/mm²，对应 0.654 美元/mm²，明显高于 N2 晶圆的名义 0.424 美元/mm²。
这里有一个关键区别：N2 和 N3 的数字代表台积电对加工一片晶圆所收取的假设价格，而 DRAM 数字代表的是每平方毫米硅片内存储芯片的潜在销售价值，即存储厂商在给定芯片面积上理论上能获得的收入。值得注意的是，Kurnal 的 1.50 美元/Gb 假设与当前 DDR5 eTT 内存的现货价格几乎一致。根据 DRAMeXchange 数据，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片的场次平均价为 24.80 美元，折合 1.55 美元/Gb。按此价格，密度 0.436 Gb/mm² 的 1b DRAM 价值约为 0.676 美元/mm²，仅比 Kurnal 的 0.654 美元/mm² 估计高出 3%。
当然，生产 DDR5 内存的成本远低于用台积电 N3 工艺制造逻辑芯片。但在 DRAM 供应短缺的背景下，存储厂商从硅片中获得的收入已明显高于历史水平。这一对比存在若干重要限制：计算未计入封装成本，而逻辑芯片的封装技术更昂贵；台积电按合同制造芯片，实际晶圆价格取决于产量、客户及其他商业条款。因此，将台积电晶圆估算价格与 DRAM 现货价格直接比较，并非完全对等。
此外，TrendForce 指出，DDR5 现货采购仍然有限、交易零星，现货价格未必反映美光、三星和 SK 海力士销售大部分 DRAM 的合约价格。合约 DRAM 价格本可提供更具经济意义的比较基础，但外界并不掌握合约价格；虽然合约价明显高于历史存储价格，却可能不及现货价。因此，目前尚不能断言 DRAM 厂商从每片晶圆中获得的收入一定高于台积电的逻辑晶圆。
从产业视角看，这一测算的意义在于揭示 AI 算力需求如何改变半导体各环节的价值分配。过去，先进逻辑代工被视为价值链顶端，而存储芯片常被看作周期性大宗商品。随着 AI 训练与推理对高带宽内存和 DDR5 的需求激增，存储芯片的稀缺性上升，定价权向存储厂商倾斜。对投资者而言，这涉及美光、三星、SK 海力士等存储厂商的盈利弹性，也关系到台积电先进制程的定价能力与客户结构。不过，现货价与合约价的差异、封装与良率等成本项，意味着单位面积价值的反超更多是方向性信号，而非精确的利润对比。