AI 需求正在重塑半導體價值鏈的定價格局。據 Kurnal Insights 的測算，按單位面積價值計算，DRAM 晶圓的價值已高於台積電用於製造計算晶片的 N3 與 N2 工藝晶圓。這一觀察由 Tom's Hardware 報道，核心結論是：在 AI 驅動的儲存需求下，儲存晶片每平方毫米矽片所能產生的收入，已經超過先進邏輯代工晶圓的代工價格。
具體來看，Kurnal Insights 基於媒體洩露資訊估算，一片採用台積電 N3 工藝的 300 毫米晶圓價格約為 2 萬美元，折算約 0.283 美元/mm²；而 N2 晶圓價格假設為 3 萬美元，約 0.424 美元/mm²。這些數字屬於非官方資訊，且未考慮晶圓邊緣不可用部分、切割、測試結構、缺陷與良率，因此只能視為名義晶圓面積價格，而非實際可用矽片的成本。
DRAM 的演算法則不同。Kurnal 假設 DRAM 價格為 1.50 美元/Gb，再乘以不同世代的位密度。1y DRAM 密度為 0.219 Gb/mm²，對應 0.329 美元/mm²；1z DRAM 密度 0.273 Gb/mm²，對應 0.410 美元/mm²；1b DRAM 密度 0.436 Gb/mm²，對應 0.654 美元/mm²，明顯高於 N2 晶圓的名義 0.424 美元/mm²。
這裡有一個關鍵區別：N2 和 N3 的數字代表台積電對加工一片晶圓所收取的假設價格，而 DRAM 數字代表的是每平方毫米矽片記憶體儲晶片的潛在銷售價值，即儲存廠商在給定芯片面積上理論上能獲得的收入。值得注意的是，Kurnal 的 1.50 美元/Gb 假設與當前 DDR5 eTT 記憶體的現貨價格幾乎一致。根據 DRAMeXchange 資料，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 晶片的場次平均價為 24.80 美元，摺合 1.55 美元/Gb。按此價格，密度 0.436 Gb/mm² 的 1b DRAM 價值約為 0.676 美元/mm²，僅比 Kurnal 的 0.654 美元/mm² 估計高出 3%。
當然，生產 DDR5 記憶體的成本遠低於用台積電 N3 工藝製造邏輯晶片。但在 DRAM 供應短缺的背景下，儲存廠商從矽片中獲得的收入已明顯高於歷史水平。這一對比存在若干重要限制：計算未計入封裝成本，而邏輯晶片的封裝技術更昂貴；台積電按合同製造晶片，實際晶圓價格取決於產量、客戶及其他商業條款。因此，將台積電晶圓估算價格與 DRAM 現貨價格直接比較，並非完全對等。
此外，TrendForce 指出，DDR5 現貨採購仍然有限、交易零星，現貨價格未必反映美光、三星和 SK 海力士銷售大部分 DRAM 的合約價格。合約 DRAM 價格本可提供更具經濟意義的比較基礎，但外界並不掌握合約價格；雖然合約價明顯高於歷史儲存價格，卻可能不及現貨價。因此，目前尚不能斷言 DRAM 廠商從每片晶圓中獲得的收入一定高於台積電的邏輯晶圓。
從產業視角看，這一測算的意義在於揭示 AI 算力需求如何改變半導體各環節的價值分配。過去，先進邏輯代工被視為價值鏈頂端，而儲存晶片常被看作週期性大宗商品。隨著 AI 訓練與推理對高頻寬記憶體和 DDR5 的需求激增，儲存晶片的稀缺性上升，定價權向儲存廠商傾斜。對投資者而言，這涉及美光、三星、SK 海力士等儲存廠商的盈利彈性，也關係到台積電先進製程的定價能力與客戶結構。不過，現貨價與合約價的差異、封裝與良率等成本項，意味著單位面積價值的反超更多是方向性訊號，而非精確的利潤對比。