多家机构预测，2026年全球磷化铟供需缺口将超过70%，而国内所有厂商出货量合计仅占全球供应量约一成。这一判断来自中国银河证券研报及第三方咨询公司Yole的预测：2025年全球磷化铟器件需求约200万片/年，实际产能仅约60万片/年；2026年需求预计攀升至260万至300万片/年，有效产能仅提升至约75万片/年，供需缺口超过70%。
《科创板日报》记者对锡业股份、兴福电子、云南锗业、源杰科技、仕佳光子、长光华芯、三安光电等产业链上中下游多家上市公司致电访谈，试图厘清各环节的真实卡点。采访显示，国内磷化铟产业链呈“资源强、制造弱”格局：上游精铟充足，但高纯铟产能不足；中游衬底、外延片仍在扩产爬坡，高速光芯片厂商普遍依赖进口衬底。整条产业链产能规模相较于全球需求仍有限，但2025年下半年以来，AI算力爆发驱动上中下游环节协同发力，本土化替代正在加速。
2026年7月，美国光芯片企业Lumentum首席执行官迈克尔·赫尔斯顿在巴黎欧洲AI峰会上公开表示，当前磷化铟衬底的供需缺口已显著超越DRAM与NAND闪存等主流存储器件。国内一位磷化铟衬底企业高管对《科创板日报》记者表示，AI算力市场发展提速，高速光模块激光器与光电探测器行业面临的问题是如何实现数据快速传输，把GPU整体效率充分释放出来，主流解决方案是用光信号替代传统电信号，其中激光器和探测器对应的光芯片必须使用磷化铟衬底材料。该高管称，分水岭从2025年下半年起，磷化铟衬底材料整体市场需求看涨。
在全球磷化铟衬底成品市场上，日本住友电工、日本JX金属、美国AXT三家国外企业合计占据九成以上份额，国内所有厂商出货量加在一起只占全球供应量约一成。国内本土规模最大的企业之一是云南锗业旗下的鑫耀半导体，年产能约15万片/年；北京通美是美国AXT的全资子公司，产能规模较大，因未上市具体数据未公开，产品主要供货给母公司AXT并对外出口。
对于“供需缺口超70%”的说法，业界仍持谨慎观望态度。云南锗业证券部工作人员表示，公司做重大经营决策不会只看市场热度，也不会单纯依靠几份研究报告、第三方机构的观点就去落地扩产项目，一定会结合自身实际能力综合判断，主要参考下游客户大概率可给的订单情况，以及评估自身生产、经营等实力。公司本次扩产规划新增30万片/年折算产能，是基于下游存在很大概率会兑现的需求，且评估后确认有能力完成项目建设。
在火热的预期背后，需要冷静区分“真实”与“虚幻”。AI算力中心建设是当前磷化铟衬底环节需求增长的“基本盘”，具有一定持续性。工信部2026年1-2月通信业运行数据显示，全国算力基础设施投资同比增长42%；“东数西算”8个国家算力枢纽节点、各地省级智算中心以及头部互联网厂商AI集群建设均在加速推进。相比之下，6G、车载激光雷达等领域仍处于产业化早期阶段，距离大规模商业化应用还有一段路要走，市场可能在短期过度解读了这些远期应用对当前供需格局的影响。
衬底环节的本土化替代尚处爬坡期。8月21日晚间，A股光模块龙头中际旭创发布2026年半年报，营收同比增长182.49%，净利润同比增长241.7%，主要因重点客户增强资本开支加大算力基础设施领域投资。报告期内，中际旭创预付款余额从2025年底的1.34亿元跃升至9.54亿元，增长6倍多，重要用途是提前锁定上游光芯片和衬底产能。国内某金属材料企业市场负责人公开表示，2026年下游客户拿磷化铟衬底的交期普遍达到24至40周，部分规格需预付三到五成定金才能排上队。
国内高速光芯片赛道国产芯片出货节奏正明显加快，但磷化铟衬底仍主要依赖海外采购。长光华芯主打EML芯片，不涉及上游磷化铟衬底布局，以外购衬底生产高速光芯片，目前正在验证并导入云南锗业、北京通美等国内厂商的磷化铟衬底。源杰科技董秘办人士表示，公司光芯片生产衬底同时采购国内、海外厂商，供应商名单属商业机密不予披露。仕佳光子方面表示，公司所需磷化铟衬底全部依靠外部采购，将采取多元化、多供应商策略保障供应稳定性。三安光电从事磷化铟外延片、光芯片业务，现有磷化铟基光芯片产能2750片/月，磷化铟外延产能6000片/月，相关产线持续扩张中，上游衬底全部靠市场采购。
云南锗业旗下鑫耀半导体是国内少数能量产光通信用磷化铟衬底的企业，目前量产主力为2-4英寸磷化铟衬底，现有产能15万片/年。2026年4月公司公告投资1.89亿元扩产项目，规划新增折算口径30万片/年磷化铟衬底年产能，建设期18个月，其中包含6000片/年6英寸衬底中试产能。公司表示已有少量6英寸磷化铟衬底向下游客户及实验室供货，主要用于试验研发，大规模量产尚需时日。
磷化铟赛道热度攀升下，跨界玩家纷纷入局。今年6月，从事皮革业务的兴业科技宣布拟总价5500万元收购青岛立昂，进军磷化铟衬底领域。青岛立昂产品以2英寸、3英寸磷化铟衬底为主，4英寸产品还在验证阶段，验证门槛较高，可能存在客户验证不通过的风险。青岛立昂现有产能约2万片/年，扩产规划目标10万片/年，预计今年四季度到2027年一季度开启试生产。此外，博杰股份通过参股珠海鼎泰芯源切入磷化铟上游衬底赛道，鼎泰芯源可实现2-4英寸磷化铟衬底批量供货，6英寸产品尚在研发送样，截至2026年Q1尚未实现盈利。
对于国内磷化铟衬底产能放量时间表，前述磷化铟衬底公司高管表示，从产线建设到下游验证完成并批量供货需要2-3年甚至更长的周期。磷化铟衬底从3英寸升级4英寸、4英寸升级6英寸，晶圆面积不断扩大，加工环节存在技术瓶颈，涉及设备改造、专有温场控制技术等，每一次尺寸升级都意味着工艺体系的重新磨合与良率爬坡。
产业链上游的高纯铟提纯环节同样存在瓶颈。磷化铟衬底的制备流程为：以高纯铟、磷为原料合成磷化铟多晶，经单晶生长得到单晶锭，再通过切、磨、抛等工序加工为衬底晶片。国内原生铟材料主要来自铅锌锡冶炼伴生矿，原生铟产量占全球七成以上。但作为磷化铟单晶制造核心原料的高纯铟、电子级红磷等高度依赖进口。锡业股份、华锡有色、锌业股份等上市企业可稳定输出大量4-5N工业级精铟，近60%销量供应给ITO靶材市场，资源总量储备充足。但随着AI算力需求抬升，7N以上半导体级超高纯铟供应趋紧，国内有效量产产能短期内并不充裕。
锡业股份董秘办人士表示，光通信用磷化铟衬底对铟材纯度要求极高，需达到6N（99.9999%）至7N（99.99999%）级别。公司旗下参股企业云南锡业新材料在推进高纯铟项目，拥有一定7N级别高纯铟产能规模，同时正在扩建产能。8月19日，高纯铟冶炼企业豫光金铅表示，公司建有一套7N级别高纯铟材料中试产线，目前为小规模试验性生产，年产规模300公斤，样品已供给下游客户试用验证，预计2026年年底或2027年年初拿到反馈结果。华锡有色证券部工作人员表示，公司早在2025年针对7N级以上高纯铟开展过研发工作，目前相关产品处于研发、验证阶段。
上海一位小金属行业高级分析师黄立（化名）指出，尽管国内精铟资源充足，但能稳定产出6N、7N级半导体用高纯铟的企业不多。普通精铟和半导体级高纯铟看似只差几个9的纯度，背后是完全不同的工艺体系。这几年随着光芯片需求爆发，国内提纯技术快速跟进，按现在的项目上马速度，用不了两年国内高纯铟原材可实现供需平衡。黄立还分析，国内高纯铟提纯环节发展滞后，另一层原因是磷化铟衬底对铟的需求量并不大，直接导致企业布局意愿不足。目前国内7N级以上高纯铟在整体铟材料中的需求占比仅约10%。一片2英寸磷化铟衬底所需的高纯铟只有1-2克左右，以云南锗业15万片/年产能折算，仅需300-400公斤高纯铟。此外，从价格角度看，目前普通精铟价格五千多元，6N级别以上高纯铟价格可能也就六千多，一千元左右的价差溢价吸引力并不大。