中國朗道矽石在第26屆中國國際工業博覽會上展示了一款極紫外（EUV）光源原型，輸出功率超過15W，90%的部件為國產，並具備較好的連續執行能力。這家由清華大學氣體放電等離子體實驗室校友于2024年創立的企業，在上海的展會上並未實際點亮該光源，所有效能資料均來自公司自身披露。

該原型名為FlintNano LPP-OXXO，採用與ASML現代光源類似的雷射等離子體（LPP）技術：用高能雷射脈衝轟擊微小的加熱金屬液滴，產生極高溫等離子體從而輻射EUV光。系統配備1000W驅動雷射（推測為CO₂雷射），工作頻率在1kHz至20kHz之間，轉換效率超過2%。其EUV輸出超過15W，亮度達到100 W/(mm²·sr)，等離子體直徑為60μm。公司稱該光源可連續執行超過100小時，等離子體穩定性為3% RMS，EUV輸出功率穩定性為5%。

需要指出的是，15W的功率水平與西方和日本裝置商早期開發的EUV光源大致相當，但測量口徑存在關鍵差異：朗道矽石似乎是在等離子體處測量EUV功率，而非像ASML那樣在收集鏡之後或中間焦點處測量。ASML早期的EUV演示裝置在2007年使用約10W的中間焦點DPP光源；Cymer的LPP光源在2012年安裝於早期NXE:3100系統時，晶圓曝光功率最高約11W；到2013年，Cymer展示了約40W的中間焦點功率。日本Gigaphoton在2013年首台原型目標為25W，2014年初演示了43W，2014年底在10分鐘測試中達到118W。由於測量條件與執行時長不同，這些歷史資料與朗道矽石的資料無法直接比較。

即便與早期裝置相比，15W也遠不足以支撐大規模量產。早期NXE:3400系列裝置的中間焦點光源功率為125W至150W，仍遠未達到高量產要求。ASML在2018至2019年才推出用於商業生產的250W級EUV光源，此後又實現了更高輸出。提升功率需要更強大的CO₂雷射、高精度錫液滴發生器、有效的碎屑緩解、耐用的收集鏡以及大幅提升的長期可靠性。

朗道矽石聲稱原型90%的部件來自國內，多數關鍵零件在中國開發，但未說明該國產化比例是按部件數量、價值還是其他口徑計算。公司代表也承認，提高EUV輸出功率和改善長期執行穩定性是商業化必須攻克的目標。此外，公司還在開發FlintMicro-LPP高功率EUV光源，據報已完成原理驗證，但未披露輸出功率、轉換效率或工作壽命。

光源本身並不等於EUV光刻機。即便沒有完整的光刻掃描器，朗道矽石的光源仍可支援EUV光刻膠開發、掩模檢測研究、EUV收集與照明光學研發，以及最終的實驗性曝光測試。但要製造完整的EUV光刻掃描器，還需要在EUV收集與照明系統、高精度多層反射鏡、晶圓與掩模台、套刻精度和系統整合等方面取得進一步突破，而這些裝置各自依賴的供應鏈在中國目前幾乎不存在。因此，即使朗道矽石成功開發出EUV光源並將其功率提升至適合高量產的級別，也不意味著中國能在短期內造出自己的EUV光刻機。

從產業視角看，這一進展的意義在於中國在EUV光源這一關鍵環節上有了本土玩家，但距離形成可用的光刻系統仍有多個數量級的工程差距。ASML與Cymer當年將光源功率從早期水平提升到量產級別用了約六年，而朗道矽石還需三到五年才能商業化其技術，且其光源尚未在真實工作條件下公開展示。對關注半導體裝置國產化的觀察者而言，這更像是一個早期里程碑，而非格局改變。