人工智能热潮正在重塑半导体行业的成本结构，内存价格已超越顶级 SoC 芯片，成为智能手机等设备中最昂贵的组件。据爆料，12GB RAM 与 256GB NAND 闪存的组合成本在一年内从约 70 美元飙升至 310 美元，涨幅高达 340%，而顶级 SoC 价格约为 280 美元，内存与存储的合计成本已超过芯片组。
这一变化源于 AI 加速器对高带宽内存（HBM）的庞大需求。巨型云服务商正提前数年抢购锁定供应，导致内存市场供需失衡。Gartner 的预测显示，内存收入将从 2025 年的 2163 亿美元跳升至 2026 年的 6333 亿美元，占整个 1.32 万亿美元半导体市场的份额提升至约 48%；其 8 月份的最新预测更为惊人，内存收入预计将达到 8373 亿美元，占整体 1.56 万亿美元半导体产业的比例高达 54%。内存已从单纯的半导体类别跃升为核心 AI 基础设施。
采购端的迹象更为直接。英伟达仅在一个季度内，将其供应链与产能预付承诺从 1190 亿美元激增至 2790 亿美元，其中 920 亿美元将在 2027 财年剩余时间内支付，870 亿美元在 2028 财年支付，880 亿美元在 2029 财年支付。这些承诺主要与内存相关，为内存制造商带来了前所未有的订单可见度。
内存市场由美光科技、SK 海力士和三星电子三家巨头垄断。SK 海力士已与约 10 家客户签署长期协议；美光表示，16 份战略客户协议已覆盖其约 20% 的 DRAM 产能和三分之一的 NAND 产能；三星也与主要客户达成了多年期内存供应协议。这些长期协议显著提高了需求可见度，但并未消除行业的周期性。
历史数据显示，内存占半导体收入的份额极易受价格影响。2018 年内存占比曾达约 34% 的高位，但 2019 年内存总收入骤降 31.5%，DRAM 平均售价暴跌 47.4%，份额回落至 26.7%。Gartner 将当时崩盘归因于产能过剩和价格下跌。长期协议虽锁定采购量，有时也锁定价格，但并非绝对底线，标准 DRAM 和 NAND 仍面临新产能、库存和价格战冲击。
新产能正在路上。SK 海力士计划投资 40 亿美元在印第安纳州建设下一代 HBM 封装工厂，并已批准截至 2031 年总计 54.3 万亿韩元（约合 383 亿美元）的投资计划。技术变数同样存在，SK 海力士和闪迪推出了高带宽闪存（High Bandwidth Flash）标准，可能让基于闪存的架构承载部分依赖 HBM 的工作负载。
对智能手机厂商而言，内存成本飙升带来直接压力。爆料指出，12GB + 256GB 组合成本已从约 70 美元涨至 310 美元，若选择 16GB + 256GB 或 16GB + 512GB，BOM 成本将大幅激增，迫使厂商实质性涨价。这也是谷歌 Pixel 11 Pro 部分机型仅配备 12GB RAM 且售价高于 Pixel 10 Pro 的原因之一。相比之下，顶级 SoC 价格虽有所上涨，但涨幅远不及内存。安卓厂商需向高通、联发科支付高额溢价，而苹果自研芯片并由台积电量产，成本控制上更具优势，但仍无法幸免于 DRAM 短缺影响。
预计内存和存储成本将在 2028 年继续飙升，涨价潮可能持续至 2029 年。Gartner 预测 2026 年内存占半导体收入比重达 54%，而 2025 年仅为 27%，这支撑了对美光、SK 海力士和三星的看涨逻辑。但投资者不应断定内存已永久脱离周期性，新增产能、技术替代和定价回归常态仍可能将短缺转化为过剩。AI 延长并放大了内存周期，但未必消灭周期本身。