英特尔首席财务官David Zinsner在德意志银行2026年科技大会上透露，公司下一代制程14A（1.4纳米级）的缺陷密度下降速度超出预期，创下自22纳米节点以来的最佳表现。Zinsner称，14A的缺陷密度优于公司设定的目标曲线，缺陷下降速度也优于此前任何节点，并强调“自22纳米以来，我们没见过这种表现”。

14A是英特尔制程路线图中的重要节点，计划于2027年下半年进入风险量产，2028年实现大规模量产。目前距投产尚有约两年，但客户端已出现实质性变化：英特尔内部设计团队已开始在14A上开发产品，外部代工客户的态度也从评估技术数据转向询问产能分配。Zinsner表示，内部客户“大概是所有人里最挑剔的”，他们选择在14A上设计产品，对公司是很大的信心提振。他还透露，CEO陈立武和团队目前每周与客户会面，客户已从“看数据”转向“我能拿到多少产能？供应节奏怎么安排？”，公司对14A的外部客户也有了确信。

Zinsner将14A的表现与22纳米对标，但这一比较有严格边界。22纳米是英特尔首个FinFET制程，推出时领先全行业，竞争对手直到2014至2015年的14/16纳米节点才跟进。Ivy Bridge处理器2012年上市后大获成功，22纳米为英特尔CPU产线服务至2016年，之后继续用于其他产品线。Zinsner对标的是14A在距量产约两年时的缺陷下降轨迹，与22纳米在约2010年同期阶段的表现，而非两代工艺绝对缺陷水平的直接比较。同时，16年间晶圆检测设备的进步已改变了“缺陷”的计量口径，缺陷密度本身也不直接等同于良率。

14A的工艺复杂度让这组数据更有看点。该节点采用第二代环栅（GAA）RibbonFET晶体管、第二代背面供电PowerDirect以及High-NA EUV光刻，技术难度远超22纳米。在这样的工艺组合下仍能快速压低缺陷密度，放在英特尔近年的制程记录中格外突出——此前，14纳米因良率不足推迟一年，初代10纳米失败，20A取消，18A量产时缺陷仍偏高，而Intel 4和Intel 3几乎未公开过进展。

英特尔方面表示，14A有望像22纳米一样成为一个长寿制程。对于关注AI芯片供应链的投资者而言，14A的顺利推进意味着英特尔在先进制程代工领域的竞争力有望增强，可能对台积电等现有代工格局形成一定影响。不过，从风险量产到大规模量产仍有两年时间，期间的技术挑战和客户订单落地情况仍需持续观察。