英特爾首席財務官David Zinsner在德意志銀行2026年科技大會上透露，公司下一代製程14A（1.4奈米級）的缺陷密度下降速度超出預期，創下自22奈米節點以來的最佳表現。Zinsner稱，14A的缺陷密度優於公司設定的目標曲線，缺陷下降速度也優於此前任何節點，並強調“自22奈米以來，我們沒見過這種表現”。

14A是英特爾製程路線圖中的重要節點，計劃於2027年下半年進入風險量產，2028年實現大規模量產。目前距投產尚有約兩年，但客戶端已出現實質性變化：英特爾內部設計團隊已開始在14A上開發產品，外部代工客戶的態度也從評估技術資料轉向詢問產能分配。Zinsner表示，內部客戶“大概是所有人裡最挑剔的”，他們選擇在14A上設計產品，對公司是很大的信心提振。他還透露，CEO陳立武和團隊目前每週與客戶會面，客戶已從“看資料”轉向“我能拿到多少產能？供應節奏怎麼安排？”，公司對14A的外部客戶也有了確信。

Zinsner將14A的表現與22奈米對標，但這一比較有嚴格邊界。22奈米是英特爾首個FinFET製程，推出時領先全行業，競爭對手直到2014至2015年的14/16奈米節點才跟進。Ivy Bridge處理器2012年上市後大獲成功，22奈米為英特爾CPU產線服務至2016年，之後繼續用於其他產品線。Zinsner對標的是14A在距量產約兩年時的缺陷下降軌跡，與22奈米在約2010年同期階段的表現，而非兩代工藝絕對缺陷水平的直接比較。同時，16年間晶圓檢測裝置的進步已改變了“缺陷”的計量口徑，缺陷密度本身也不直接等同於良率。

14A的工藝複雜度讓這組資料更有看點。該節點採用第二代環柵（GAA）RibbonFET電晶體、第二代背面供電PowerDirect以及High-NA EUV光刻，技術難度遠超22奈米。在這樣的工藝組合下仍能快速壓低缺陷密度，放在英特爾近年的製程記錄中格外突出——此前，14奈米因良率不足推遲一年，初代10奈米失敗，20A取消，18A量產時缺陷仍偏高，而Intel 4和Intel 3幾乎未公開過進展。

英特爾方面表示，14A有望像22奈米一樣成為一個長壽製程。對於關注AI晶片供應鏈的投資者而言，14A的順利推進意味著英特爾在先進製程代工領域的競爭力有望增強，可能對台積電等現有代工格局形成一定影響。不過，從風險量產到大規模量產仍有兩年時間，期間的技術挑戰和客戶訂單落地情況仍需持續觀察。