韩国存储芯片制造商SK海力士周四在美国印第安纳州西拉法叶市为其首座美国工厂举行奠基仪式。公司CEO郭鲁正在仪式上表示，到2030年，印第安纳州将成为美国关键的HBM（高带宽存储器）生产基地。这一表态凸显了该公司在AI热潮中加强美国布局的决心。

郭鲁正强调，由于人工智能的旺盛需求，高带宽内存正面临严重的全球短缺。他表示，公司将为客户提供美国制造的HBM新来源，同时加强美国半导体供应链，为国家和经济安全做出贡献。

SK海力士是HBM市场的份额领导者，目前正在进行一项规模达7200亿美元的扩产计划，其中绝大部分位于韩国本土，该公司正在那里建设全球最大的存储芯片工厂园区，生产将于明年2月开始。

此次动工的印第安纳州工厂投资额为40亿美元，将专注于封装环节，而非前端制造。这意味着该工厂将负责存储芯片的堆叠和连接。芯片将在韩国和中国制造，其中一部分将运往印第安纳州进行封装。郭鲁正表示，首个洁净室（即封装作业场所）计划于2028年10月启用。

尽管封装是芯片制造中的关键步骤，但美国商务部长霍华德·卢特尼克在7月曾呼吁SK海力士及其主要竞争对手三星在美国建设前端芯片工厂。郭鲁正回应称，公司正在寻找合适的机会，对任何地点或国家都持开放态度，并将继续扩大在美国的投资与合作。

SK海力士于7月在纳斯达克上市，募资265亿美元，成为美国市场上募资最多的外国公司。该股目前略低于首日收盘价，并受到AI交易和韩国市场整体波动的影响。尽管如此，SK海力士的市值在过去一年中上涨了约七倍，达到1万亿美元以上。

在7月接受CNBC采访时，SK集团会长崔泰源表示，SK海力士已研究潜在选址一个多月，他愿意推进，但必须找到合适的地点。

SK海力士于4月在印第安纳州开始建设。周四的仪式标志着该项目正式启动，印第安纳州共和党州长迈克·布劳恩称这将是该州历史上最大的开发项目，也是全美首个此类项目。印第安纳州共和党参议员托德·杨表示，美国长期设计全球最先进的芯片，却允许太多制造环节迁移海外，今天的破土动工证明回流愿景正在实现。

郭鲁正表示，到2030年，SK海力士在美国的总投资和资产预计将超过450亿美元，其中包括1月成立的100亿美元AI公司，以及2020年以90亿美元收购英特尔NAND业务后成立的子公司Solidigm。

为支持新工厂建设，SK海力士将获得最高4.58亿美元的联邦CHIPS法案资金，以及最高7.12亿美元的州激励方案，后者是该州历史上第二大激励方案。该工厂占地133英亩，于2024年公布，将包括封装工厂和研发中心，顶级AI客户可与SK海力士共同开发存储芯片。

随着SK海力士开发可与AI加速器共同定制的下一代存储芯片，这一机遇正在增长。领先的AI芯片制造商英伟达已承诺与SK海力士共同开发存储芯片，作为7月与SK集团宣布的5000亿美元交易的一部分。

SK海力士告诉CNBC，印第安纳州工厂将创造约1000个直接就业岗位，以及6000个与建设和商业伙伴相关的岗位。项目初期，公司将临时从韩国调派员工，但长期岗位计划由美国员工填补，包括附近普渡大学的学生，该校提供多种半导体相关学位。普渡大学临时校长、前印第安纳州州长米奇·丹尼尔斯表示，普渡大学167年历史上，没有比今天更重要的日子。