韓國儲存晶片製造商SK海力士週四在美國印第安納州西拉法葉市為其首座美國工廠舉行奠基儀式。公司CEO郭魯正在儀式上表示，到2030年，印第安納州將成為美國關鍵的HBM（高頻寬儲存器）生產基地。這一表態凸顯了該公司在AI熱潮中加強美國佈局的決心。

郭魯正強調，由於人工智慧的旺盛需求，高頻寬記憶體正面臨嚴重的全球短缺。他表示，公司將為客戶提供美國製造的HBM新來源，同時加強美國半導體供應鏈，為國家和經濟安全做出貢獻。

SK海力士是HBM市場的份額領導者，目前正在進行一項規模達7200億美元的擴產計劃，其中絕大部分位於韓國本土，該公司正在那裡建設全球最大的儲存晶片工廠園區，生產將於明年2月開始。

此次動工的印第安納州工廠投資額為40億美元，將專注於封裝環節，而非前端製造。這意味著該工廠將負責儲存晶片的堆疊和連線。晶片將在韓國和中國製造，其中一部分將運往印第安納州進行封裝。郭魯正表示，首個潔淨室（即封裝作業場所）計劃於2028年10月啟用。

儘管封裝是晶片製造中的關鍵步驟，但美國商務部長霍華德·盧特尼克在7月曾呼籲SK海力士及其主要競爭對手三星在美國建設前端晶片工廠。郭魯正回應稱，公司正在尋找合適的機會，對任何地點或國家都持開放態度，並將繼續擴大在美國的投資與合作。

SK海力士於7月在納斯達克上市，募資265億美元，成為美國市場上募資最多的外國公司。該股目前略低於首日收盤價，並受到AI交易和韓國市場整體波動的影響。儘管如此，SK海力士的市值在過去一年中上漲了約七倍，達到1萬億美元以上。

在7月接受CNBC採訪時，SK集團會長崔泰源表示，SK海力士已研究潛在選址一個多月，他願意推進，但必須找到合適的地點。

SK海力士於4月在印第安納州開始建設。週四的儀式標誌著該專案正式啟動，印第安納州共和黨州長邁克·布勞恩稱這將是該州歷史上最大的開發專案，也是全美首個此類專案。印第安納州共和黨參議員託德·楊表示，美國長期設計全球最先進的晶片，卻允許太多製造環節遷移海外，今天的破土動工證明迴流願景正在實現。

郭魯正表示，到2030年，SK海力士在美國的總投資和資產預計將超過450億美元，其中包括1月成立的100億美元AI公司，以及2020年以90億美元收購英特爾NAND業務後成立的子公司Solidigm。

為支援新工廠建設，SK海力士將獲得最高4.58億美元的聯邦CHIPS法案資金，以及最高7.12億美元的州激勵方案，後者是該州歷史上第二大激勵方案。該工廠佔地133英畝，於2024年公佈，將包括封裝工廠和研發中心，頂級AI客戶可與SK海力士共同開發儲存晶片。

隨著SK海力士開發可與AI加速器共同定製的下一代儲存晶片，這一機遇正在增長。領先的AI晶片製造商輝達已承諾與SK海力士共同開發儲存晶片，作為7月與SK集團宣佈的5000億美元交易的一部分。

SK海力士告訴CNBC，印第安納州工廠將創造約1000個直接就業崗位，以及6000個與建設和商業夥伴相關的崗位。專案初期，公司將臨時從韓國調派員工，但長期崗位計劃由美國員工填補，包括附近普渡大學的學生，該校提供多種半導體相關學位。普渡大學臨時校長、前印第安納州州長米奇·丹尼爾斯表示，普渡大學167年曆史上，沒有比今天更重要的日子。