韓國法院在審理中國DRAM廠商長鑫儲存（CXMT）涉嫌竊取三星電子商業機密一案中，披露了代號"合肥專案"的內部路線圖。據韓國媒體NoCut News報道，檢方指控該專案是長鑫儲存的完整DRAM開發計劃，由該公司開發主管（曾任三星DRAM開發負責人）於2016年8月牽頭制定，而長鑫儲存本身成立於2016年6月。該計劃的目標包括：在2016年9月前獲取三星的工藝配方檔案（PRP），2016年10月前挖角三星核心工程師，2017年7月完成研發，並於2018年8月實現月產1萬片DRAM晶圓。

據洩露的法庭檔案，三星的PRP資料集包含DRAM製造中的620道工序，涵蓋裝置、耗材和生產方法等詳細資訊。報道稱，2016年8月，長鑫儲存曾試圖依靠挖來的三星工程師的記憶試產18nm晶片，但發現這些記憶不足以支撐生產。在涉嫌非法獲取三星PRP後，長鑫儲存於2016年9月編制了自己的檔案，其中甚至包含具體的裝置供應商和型號。這份"新"PRP被分發給關鍵專家，其中許多是前三星工程師，檢方認為他們本應立即識別出資料來源自三星，因為檔案中包含三星獨有的工藝開發註釋和標記。

一名已定罪的前三星研究員全某（Jeon）在案件中作為證人作證。他此前因手動複製部分PRP後跳槽至長鑫儲存，被判處7年監禁。

這起案件自2024年1月起在韓國法院審理，其影響遠超"一家公司竊取另一家技術"的範疇。十年前，全球DRAM市場主要由三星、美光和SK海力士三巨頭佔據。長鑫儲存於2016年6月在合肥成立（專案因此得名），政府投資約19億美元，據稱當時既無研發設施，也無任何研究計劃。從零設施和零機構經驗到生產DRAM晶圓，僅用兩年多時間，這被認為是前所未有的壯舉，若沒有涉嫌的智慧財產權竊取，幾乎不可能實現——僅建立儲存晶圓廠通常就需要兩到四年時間，更不用說研發了。

長鑫儲存2019年聲稱其當時新款8Gb DDR4晶片完全自主研發，是"跳躍式、獨立"技術，並開始在當地銷售DRAM晶片。隨後AI需求爆發，帶動長鑫儲存快速增長，其全球DRAM市場份額從2025年第二季度的約4%升至2026年第二季度的約10%，這是十多年來三巨頭首次合計份額跌破90%。產能已擴充套件至三座12英寸晶圓廠，預計今年合計產出35萬片晶圓，接近美光的37.5萬至38.5萬片。長鑫儲存還計劃在北京開設第二座晶圓廠，投產後月產能目標超過60萬片。

長鑫儲存的增長不僅體現在市場份額上。2026年第二季度營收同比增長716%，2026年7月在上海科創板IPO，股價上漲466%，募資86億美元，成為A股市場市值最高的晶片製造商。據報道，約70%的募資將用於擴大DRAM生產，而非更昂貴、更復雜的HBM。不過，該公司已向阿里巴巴旗下平頭哥和寒武紀提供HBM3E樣品，而三星和SK海力士已進入HBM4生產階段。

截至2025年12月韓國檢方的最新統計，三星因長鑫儲存涉嫌行為造成的損失"至少達數十萬億韓元"。粗略推算，可能達約40萬億韓元（約295億美元），且仍在快速增長。

此案對儲存市場及整個技術領域的持久影響遠超數字描述。若指控屬實，長鑫儲存的行為已造成地緣政治規模的經濟事件。