韩国法院在审理中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）涉嫌窃取三星电子商业机密一案中，披露了代号"合肥项目"的内部路线图。据韩国媒体NoCut News报道，检方指控该项目是长鑫存储的完整DRAM开发计划，由该公司开发主管（曾任三星DRAM开发负责人）于2016年8月牵头制定，而长鑫存储本身成立于2016年6月。该计划的目标包括：在2016年9月前获取三星的工艺配方文件（PRP），2016年10月前挖角三星核心工程师，2017年7月完成研发，并于2018年8月实现月产1万片DRAM晶圆。

据泄露的法庭文件，三星的PRP数据集包含DRAM制造中的620道工序，涵盖设备、耗材和生产方法等详细信息。报道称，2016年8月，长鑫存储曾试图依靠挖来的三星工程师的记忆试产18nm芯片，但发现这些记忆不足以支撑生产。在涉嫌非法获取三星PRP后，长鑫存储于2016年9月编制了自己的文件，其中甚至包含具体的设备供应商和型号。这份"新"PRP被分发给关键专家，其中许多是前三星工程师，检方认为他们本应立即识别出数据源自三星，因为文件中包含三星独有的工艺开发注释和标记。

一名已定罪的前三星研究员全某（Jeon）在案件中作为证人作证。他此前因手动复制部分PRP后跳槽至长鑫存储，被判处7年监禁。

这起案件自2024年1月起在韩国法院审理，其影响远超"一家公司窃取另一家技术"的范畴。十年前，全球DRAM市场主要由三星、美光和SK海力士三巨头占据。长鑫存储于2016年6月在合肥成立（项目因此得名），政府投资约19亿美元，据称当时既无研发设施，也无任何研究计划。从零设施和零机构经验到生产DRAM晶圆，仅用两年多时间，这被认为是前所未有的壮举，若没有涉嫌的知识产权窃取，几乎不可能实现——仅建立存储晶圆厂通常就需要两到四年时间，更不用说研发了。

长鑫存储2019年声称其当时新款8Gb DDR4芯片完全自主研发，是"跳跃式、独立"技术，并开始在当地销售DRAM芯片。随后AI需求爆发，带动长鑫存储快速增长，其全球DRAM市场份额从2025年第二季度的约4%升至2026年第二季度的约10%，这是十多年来三巨头首次合计份额跌破90%。产能已扩展至三座12英寸晶圆厂，预计今年合计产出35万片晶圆，接近美光的37.5万至38.5万片。长鑫存储还计划在北京开设第二座晶圆厂，投产后月产能目标超过60万片。

长鑫存储的增长不仅体现在市场份额上。2026年第二季度营收同比增长716%，2026年7月在上海科创板IPO，股价上涨466%，募资86亿美元，成为A股市场市值最高的芯片制造商。据报道，约70%的募资将用于扩大DRAM生产，而非更昂贵、更复杂的HBM。不过，该公司已向阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪提供HBM3E样品，而三星和SK海力士已进入HBM4生产阶段。

截至2025年12月韩国检方的最新统计，三星因长鑫存储涉嫌行为造成的损失"至少达数十万亿韩元"。粗略推算，可能达约40万亿韩元（约295亿美元），且仍在快速增长。

此案对存储市场及整个技术领域的持久影响远超数字描述。若指控属实，长鑫存储的行为已造成地缘政治规模的经济事件。