瑞薩電子（Renesas）於 2026 年 7 月 30 日宣佈推出其第三代 DDR5 MRDIMM（多路複用雙列直插記憶體模組）晶片組解決方案，最高支援 16000 MT/s 的傳輸速率，較上一代產品提升 25%。該方案專為 AI 資料中心、雲基礎設施和加速計算工作負載設計，旨在解決大模型訓練與推理對記憶體頻寬的迫切需求。

MRDIMM 是一種基於 DDR5 的記憶體架構，通過多路複用技術將多個記憶體通道合併，在保持標準 DIMM 外形的前提下實現更高頻寬。瑞薩的第三代方案包含第三代多路複用暫存器時鐘驅動器（MRCD, RRG5013）和多路複用資料緩衝器（MDB, RRG5103）兩款核心晶片。新方案仍沿用現有 DDR5 基礎設施，伺服器廠商無需對平台架構進行大幅改動即可獲得性能提升。

瑞薩還引入了 裝置均衡自訓練模式（DESTM）質量指示狀態，允許使用者微調時序和接收器均衡訓練以最大化裕量，增強了系統的可見性和魯棒性。在能效方面，第三代方案在系統層面兼顧了頻寬增長與熱管理、功耗限制的平衡，具體功耗資料將在配套產品文件中披露。

AMD 計算與企業 AI 平台解決方案工程副總裁 Amit Goel 表示，AMD 長期支援開放、標準化的技術，MRDIMM 等下一代記憶體形態的創新有助於行業實現更高頻寬、更高效率和持續的平台可擴充套件性。瑞薩記憶體介面部門副總裁兼總經理 Sameer Kuppahalli 指出，AI 訓練和推理工作負載正在從根本上重塑資料中心的記憶體需求，瑞薩通過第三代 MRDIMM 晶片組繼續引領行業。

瑞薩正在與主要 CPU 和平台合作伙伴緊密協作，推動 MRDIMM Gen 3 在未來伺服器平台中的採用。目前，MRCD 和 MDB 晶片已開始向包括所有主要 DRAM 供應商在內的精選客戶送樣，預計 2027 年下半年 進入量產階段。瑞薩還將在 2026 年 8 月 4 日至 6 日於美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026（未來記憶體與儲存大會） 上展示相關元件。

瑞薩的 MRDIMM 平台覆蓋 MRCD、MDB、電源管理 IC（PMIC）、序列存在檢測（SPD）集線器和溫度感測器等完整元件，這種平台化方法使客戶能夠跨代擴充套件 MRDIMM 效能，同時保持設計連續性和加速部署。