瑞萨电子（Renesas）于 2026 年 7 月 30 日宣布推出其第三代 DDR5 MRDIMM（多路复用双列直插内存模块）芯片组解决方案，最高支持 16000 MT/s 的传输速率，较上一代产品提升 25%。该方案专为 AI 数据中心、云基础设施和加速计算工作负载设计，旨在解决大模型训练与推理对内存带宽的迫切需求。

MRDIMM 是一种基于 DDR5 的内存架构，通过多路复用技术将多个内存通道合并，在保持标准 DIMM 外形的前提下实现更高带宽。瑞萨的第三代方案包含第三代多路复用寄存器时钟驱动器（MRCD, RRG5013）和多路复用数据缓冲器（MDB, RRG5103）两款核心芯片。新方案仍沿用现有 DDR5 基础设施，服务器厂商无需对平台架构进行大幅改动即可获得性能提升。

瑞萨还引入了 设备均衡自训练模式（DESTM）质量指示状态，允许用户微调时序和接收器均衡训练以最大化裕量，增强了系统的可见性和鲁棒性。在能效方面，第三代方案在系统层面兼顾了带宽增长与热管理、功耗限制的平衡，具体功耗数据将在配套产品文档中披露。

AMD 计算与企业 AI 平台解决方案工程副总裁 Amit Goel 表示，AMD 长期支持开放、标准化的技术，MRDIMM 等下一代内存形态的创新有助于行业实现更高带宽、更高效率和持续的平台可扩展性。瑞萨内存接口部门副总裁兼总经理 Sameer Kuppahalli 指出，AI 训练和推理工作负载正在从根本上重塑数据中心的内存需求，瑞萨通过第三代 MRDIMM 芯片组继续引领行业。

瑞萨正在与主要 CPU 和平台合作伙伴紧密协作，推动 MRDIMM Gen 3 在未来服务器平台中的采用。目前，MRCD 和 MDB 芯片已开始向包括所有主要 DRAM 供应商在内的精选客户送样，预计 2027 年下半年 进入量产阶段。瑞萨还将在 2026 年 8 月 4 日至 6 日于美国加州圣克拉拉举行的 FMS 2026（未来内存与存储大会） 上展示相关组件。

瑞萨的 MRDIMM 平台覆盖 MRCD、MDB、电源管理 IC（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器和温度传感器等完整组件，这种平台化方法使客户能够跨代扩展 MRDIMM 性能，同时保持设计连续性和加速部署。