2026年7月27日，一條不足兩百字的報道引發華爾街劇烈震盪。《The Information》披露，一傢俱有中國國資背景的上海公司已啟動浸沒式深紫外（DUV）光刻機的製造。這家公司整合了包括上海宇量昇科技在內的多家中國企業的研發團隊，報道未公開公司全名，僅稱知情人士要求匿名。生產計劃為：今年五台，明年約二十台，首批客戶鎖定中芯國際、華虹半導體和長鑫儲存。

市場反應極為迅速。當日，全球光刻機巨頭ASML股價一度下挫4.6%，收盤跌幅擴大至6.3%，創下六月以來新低。美國半導體裝置商應用材料、拉姆研究、科天股價同步下跌5%至7%。初步估算，ASML單日市值蒸發約440億美元。作為對比，ASML 2026年預計來自中國的總收入約為100億美元，市場一天內抹去的市值相當於其中國業務四年多的營收總和。

技術層面，報道指出這款國產浸沒式DUV光刻機的效能大致相當於ASML 2008年推出的Twinscan NXT:1950i——數值孔徑1.35，套刻精度2.5奈米，解析度38奈米，代差約18年。機器主要由國產部件構成，仍有部分零件依賴進口。中芯國際自2025年9月開始試用，最樂觀的預期是2027年進入量產。

這一事件之所以引發巨大沖擊，根源在於它動搖了市場對ASML“壟斷溢價”的長期假設。ASML在EUV光刻機領域全球獨家壟斷，在浸沒式DUV市場佔有率約98.7%。過去，業界普遍認為中國可以突破成熟製程光刻裝置，但浸沒式DUV這一層“永遠得買”。五台國產機器的出現，讓這一假設出現裂縫。

回顧光刻機發展史，從1957年美國物理學家傑伊·拉思羅普命名“光刻”工藝至今已六十九年。美國發明瞭光刻機，卻在1980至1990年代因本土晶片公司轉向採購日本裝置而退出製造；日本尼康、佳能一度主導市場，但尼康在2002年押注157奈米光源失敗，被ASML的浸沒式技術路線超越。ASML的成功離不開客戶長期支援——2012年，英特爾、台積電、三星通過客戶共同投資計劃，提前出資並承諾五年研發訂單，幫助ASML熬過EUV長達21年的研發週期。

中國此次突破浸沒式DUV，意味著全球光刻機產業格局可能迎來新的變數。不過，量產爬坡、良率提升、供應鏈自主化仍面臨巨大挑戰。正如歷史所揭示的，光刻機的迭代週期長達十年，能否持續獲得客戶信任與訂單，才是決定成敗的關鍵。