資料中心正遭遇一場由記憶體成本引發的系統性危機。Counterpoint Research的追蹤資料顯示，64GB DIMM記憶體模組價格在2025年第三季度至2026年第一季度之間已上漲3.5倍，且漲勢遠未結束——預計到2026年第三季度，累計漲幅將達到5倍。TrendForce的資料更為直接：2026年第一季度，DRAM合約價環比暴增93%至98%，推動全球DRAM產業整體營收環比增長81%，達到970億美元；進入第二季度，合約價預計再漲58%至63%。

現貨市場的價格訊號同樣觸目驚心。當前伺服器級DDR5 RDIMM的現貨單價高達每GB 27至37美元，僅搭建一個12TB的記憶體池，純DRAM硬體採購成本就逼近50萬美元。在伺服器物料清單中，DRAM的佔比已從2023年的約50%攀升至2026年年中的60%至90%，平均約75%，記憶體已成為伺服器中最昂貴的單項元件。

這輪漲價風暴的根源，在於HBM（高頻寬記憶體）對標準DRAM產能的持續擠壓。隨著AI訓練與推理對高頻寬記憶體的需求爆發，HBM在DRAM晶圓產能中的佔比已從2020年的2%攀升至2026年預估的25%。三星、SK海力士、美光三大原廠紛紛將優質產能向高毛利的HBM傾斜，一片HBM晶圓約消耗三片DDR5的產能，而超大規模雲廠商又以多年期長單提前鎖定未來晶圓產出，進一步壓縮了面向伺服器領域的標準DRAM供給。傑富瑞預計，2026年全球儲存bit供給增長僅為7%至8%，DRAM與NAND合計可能出現約15萬至20萬片/月的供給缺口。美光科技也在財報中表示，難以判斷儲存供給何時能追上持續增長的需求。

壓力早已從資料中心蔓延至消費端。Xbox執行長公開表示，過去兩年間記憶體成本上漲約五倍，直接導致公司無法生產足夠數量的遊戲主機。蘋果也相繼對iPhone、Mac、iPad等產品進行漲價。摩根士丹利分析師團隊直言，記憶體價格飆升與供應稀缺正演變為數字經濟的全面風險，從AI基礎設施的瓶頸蔓延至硬體利潤率、裝置可負擔性、雲成本乃至政策層面。

面對DRAM的昂貴與稀缺，行業玩家開始從技術路徑上尋求突破，不再單純堆硬體，而是用架構創新減少對DRAM的依賴。

AMD選擇了軟體切入路徑。2026年6月，AMD宣佈收購記憶體最佳化廠商MEXT，其核心技術是基於AI驅動的記憶體分層方案——通過預測記憶體引擎持續監測應用訪問模式，自動將低頻訪問的冷資料從昂貴的DRAM遷移到每位元成本僅約DRAM 1/55的NAND快閃記憶體中，同時利用AI模型預測即將被呼叫的資料頁，在應用發起請求前主動將其預取回DRAM，確保效能不受影響。官方資料顯示，該方案可將系統有效記憶體容量提升2至4倍，基礎設施整體成本下降約50%。收購訊息公佈當日，AMD股價盤中上漲近7%，市場用投票表達了對這一路徑的認可。

蘋果則在端側給出了不同的答案。其最新的AFM 3 Core Advanced是一款200億引數的端側大模型，通過稀疏啟用架構，將完整模型全部存放在NAND快閃記憶體中，推理時僅將10億到40億引數的工作集調入DRAM，將峰值記憶體佔用控制在2GB至8GB區間，實現了“大模型小記憶體”的端側推理。這套方案並非臨時攻關，早在2024年蘋果研究團隊就發表了相關論文，系統驗證了將大模型引數存放於快閃記憶體、按需排程的技術路徑。

Marvell則從硬體層面突破。其釋出的Structera系列CXL控制器內建自研硬體壓縮模組，資料寫入DRAM時即時壓縮、讀取時同步解壓，整個過程不佔用主機CPU算力。在混合資料庫業務場景下，平均壓縮比可達3.64:1，相當於用不到三分之一的實體記憶體滿足同等業務需求。按當前DDR5現貨價計算，一個12TB記憶體池僅DRAM硬體成本就接近50萬美元，若按3倍壓縮比估算，物理DRAM採購量可縮減三分之二，單池即可節省三十餘萬美元。

閃迪的解法更為激進，正聯合SK海力士推動高頻寬快閃記憶體（HBF）標準化，試圖在封裝層面將高容量NAND快閃記憶體堆疊在GPU正下方，周圍環繞HBM堆疊，打造HBM與SSD之間的全新儲存層級。HBF容量可達同體積HBM的8至16倍，成本具備顯著優勢，主打長上下文推理、KV快取等讀取密集型場景。雙方計劃在2026年下半年推出首批樣品，2027年初應用於AI推理裝置。韓國新榮證券預計，HBF市場有望在2027年形成，到2030年增長至120億美元規模。

這四家公司的技術路徑各不相同，但指向同一個方向：AI推理的記憶體層級正在重構。熱資料留在DRAM與HBM中保障效能，溫冷資料逐步下沉到快閃記憶體層承接容量，多層介質協同的新架構正在成型。這一轉變沿產業鏈形成傳導效應，最直接的受益層是NAND原廠。

回顧歷史，用快閃記憶體擴充套件主記憶體並非全新概念。英特爾與美光早在2015年就聯合推出了3D XPoint儲存技術，試圖在DRAM和NAND之間構建新層級，但最終因成本追平DRAM、效能僅比普通快閃記憶體快數倍，加之封閉生態策略，專案最終終止。如今DRAM價格暴漲、供給被HBM擠佔的困局，讓這一未竟之路更顯遺憾，也讓當前多條技術路徑的探索顯得尤為關鍵。