数据中心正遭遇一场由内存成本引发的系统性危机。Counterpoint Research的追踪数据显示，64GB DIMM内存模组价格在2025年第三季度至2026年第一季度之间已上涨3.5倍，且涨势远未结束——预计到2026年第三季度，累计涨幅将达到5倍。TrendForce的数据更为直接：2026年第一季度，DRAM合约价环比暴增93%至98%，推动全球DRAM产业整体营收环比增长81%，达到970亿美元；进入第二季度，合约价预计再涨58%至63%。

现货市场的价格信号同样触目惊心。当前服务器级DDR5 RDIMM的现货单价高达每GB 27至37美元，仅搭建一个12TB的内存池，纯DRAM硬件采购成本就逼近50万美元。在服务器物料清单中，DRAM的占比已从2023年的约50%攀升至2026年年中的60%至90%，平均约75%，内存已成为服务器中最昂贵的单项组件。

这轮涨价风暴的根源，在于HBM（高带宽内存）对标准DRAM产能的持续挤压。随着AI训练与推理对高带宽内存的需求爆发，HBM在DRAM晶圆产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。三星、SK海力士、美光三大原厂纷纷将优质产能向高毛利的HBM倾斜，一片HBM晶圆约消耗三片DDR5的产能，而超大规模云厂商又以多年期长单提前锁定未来晶圆产出，进一步压缩了面向服务器领域的标准DRAM供给。杰富瑞预计，2026年全球存储bit供给增长仅为7%至8%，DRAM与NAND合计可能出现约15万至20万片/月的供给缺口。美光科技也在财报中表示，难以判断存储供给何时能追上持续增长的需求。

压力早已从数据中心蔓延至消费端。Xbox首席执行官公开表示，过去两年间内存成本上涨约五倍，直接导致公司无法生产足够数量的游戏主机。苹果也相继对iPhone、Mac、iPad等产品进行涨价。摩根士丹利分析师团队直言，内存价格飙升与供应稀缺正演变为数字经济的全面风险，从AI基础设施的瓶颈蔓延至硬件利润率、设备可负担性、云成本乃至政策层面。

面对DRAM的昂贵与稀缺，行业玩家开始从技术路径上寻求突破，不再单纯堆硬件，而是用架构创新减少对DRAM的依赖。

AMD选择了软件切入路径。2026年6月，AMD宣布收购内存优化厂商MEXT，其核心技术是基于AI驱动的内存分层方案——通过预测内存引擎持续监测应用访问模式，自动将低频访问的冷数据从昂贵的DRAM迁移到每比特成本仅约DRAM 1/55的NAND闪存中，同时利用AI模型预测即将被调用的数据页，在应用发起请求前主动将其预取回DRAM，确保性能不受影响。官方数据显示，该方案可将系统有效内存容量提升2至4倍，基础设施整体成本下降约50%。收购消息公布当日，AMD股价盘中上涨近7%，市场用投票表达了对这一路径的认可。

苹果则在端侧给出了不同的答案。其最新的AFM 3 Core Advanced是一款200亿参数的端侧大模型，通过稀疏激活架构，将完整模型全部存放在NAND闪存中，推理时仅将10亿到40亿参数的工作集调入DRAM，将峰值内存占用控制在2GB至8GB区间，实现了“大模型小内存”的端侧推理。这套方案并非临时攻关，早在2024年苹果研究团队就发表了相关论文，系统验证了将大模型参数存放于闪存、按需调度的技术路径。

Marvell则从硬件层面突破。其发布的Structera系列CXL控制器内置自研硬件压缩模块，数据写入DRAM时实时压缩、读取时同步解压，整个过程不占用主机CPU算力。在混合数据库业务场景下，平均压缩比可达3.64:1，相当于用不到三分之一的物理内存满足同等业务需求。按当前DDR5现货价计算，一个12TB内存池仅DRAM硬件成本就接近50万美元，若按3倍压缩比估算，物理DRAM采购量可缩减三分之二，单池即可节省三十余万美元。

闪迪的解法更为激进，正联合SK海力士推动高带宽闪存（HBF）标准化，试图在封装层面将高容量NAND闪存堆叠在GPU正下方，周围环绕HBM堆叠，打造HBM与SSD之间的全新存储层级。HBF容量可达同体积HBM的8至16倍，成本具备显著优势，主打长上下文推理、KV缓存等读取密集型场景。双方计划在2026年下半年推出首批样品，2027年初应用于AI推理设备。韩国新荣证券预计，HBF市场有望在2027年形成，到2030年增长至120亿美元规模。

这四家公司的技术路径各不相同，但指向同一个方向：AI推理的内存层级正在重构。热数据留在DRAM与HBM中保障性能，温冷数据逐步下沉到闪存层承接容量，多层介质协同的新架构正在成型。这一转变沿产业链形成传导效应，最直接的受益层是NAND原厂。

回顾历史，用闪存扩展主内存并非全新概念。英特尔与美光早在2015年就联合推出了3D XPoint存储技术，试图在DRAM和NAND之间构建新层级，但最终因成本追平DRAM、性能仅比普通闪存快数倍，加之封闭生态策略，项目最终终止。如今DRAM价格暴涨、供给被HBM挤占的困局，让这一未竟之路更显遗憾，也让当前多条技术路径的探索显得尤为关键。