2026年6月的最後一週，三家國產半導體裝置頭部公司接連公佈重大擴張計劃，為正處於高景氣週期的行業再添註腳。中微公司完成對杭州眾矽的收購，切入CMP（化學機械拋光）裝置領域，國家積體電路產業投資基金三期認購了其中超過一半的配套募資份額。拓荊科技公告籌劃收購無錫尚積半導體，後者主營薄膜沉積與刻蝕裝置，覆蓋半導體前道製造的關鍵環節。華海清科則敲定了37.95億元的定增方案，計劃在上海新建裝備研發製造基地，以緩解其天津、北京兩大基地產能接近飽和的壓力。

這一系列動作背後，是國產半導體裝置行業正面臨的三重需求疊加視窗。國金證券常務副所長、計算機行業首席分析師劉高暢將其歸納為：長鑫科技和長江儲存兩大儲存晶片廠商集中擴產釋放的大量裝置採購需求；AI投資熱潮從GPU、HBM等高階晶片向成熟製程配套晶片傳導，拉動晶圓廠產能擴張；以及過去幾年國產裝置在各工藝環節積累的驗證成果開始兌現為批次訂單。三股力量疊加，構成了近年來確定性最強的一輪景氣週期。

頭部儲存廠商的擴產是眼下最直接的訂單來源。長鑫科技2026年二季度已啟動新一輪裝置招標，全年計劃擴產約5萬至6萬片，對應裝置採購額約為350億元至430億元。長江儲存三期產線的裝置安裝也已全面啟動，預計2026年底投產。兩家公司2026年合計擴產預期已從年初的10萬至12萬片上調至15萬片（12英寸等效晶圓月產能）。在DRAM產線的裝置投資構成中，刻蝕與薄膜沉積兩類裝置合計約佔一半，這意味著儲存廠商每花100億元採購裝置，約有50億元流向北方華創和中微公司的核心產品。

國產裝置在這些採購中的份額正在快速攀升。長鑫科技新一代工藝平台的國產化率有望超過四成，長江儲存三期產線的國產裝置採購佔比已突破50%，覆蓋刻蝕、沉積、檢測等主要工序。一位長期關注半導體裝置領域的投資人指出，儲存晶片製造標準化程度高，裝置一旦通過驗證即可快速複製，長鑫和長江儲存的大規模擴產實際上成了國產裝置從“能用”到“好用”的驗證場。

AI投資對裝置需求的拉動則沿著另一條路徑傳導。市場談論AI投資時注意力通常集中在GPU和HBM上，但每一台AI伺服器執行還需要大量電源管理、資料傳輸、訊號驅動晶片，這些晶片絕大多數採用成熟製程。中芯國際聯合執行長趙海軍在2026年一季度業績說明會上表示，AI伺服器及配套晶片需求快速增長，中芯國際的電源管理晶片產能供不應求。全球大量成熟製程產能向AI相關產品傾斜後，消費電子和物聯網客戶的訂單反而向中國大陸代工廠迴流。

集邦諮詢研究經理龔明德指出，2026年全球九大主要雲端計算廠商在AI領域的投入增速接近八成，AI和高效能運算正在成為伺服器市場的新常態。這些資本開支沿著“晶片採購—晶圓廠擴產—裝置採購”的鏈條向上傳導，而中國大陸晶圓廠正推動全球12英寸成熟製程近七成的擴產活動。

前兩股力量拉動整體裝置需求，第三股力量則決定國產裝置廠商能從中分到多少。盛博在2026年5月釋出的研報中估算，2025年中國本土裝置廠商在華晶圓製造裝置份額已從一年前的16%升至21%，而2017年這個數字只有4%。劉高暢認為，經過四到五年的持續推進，國產裝置在部分工藝環節已從逐台驗證階段進入批次替代階段。

從具體工序看，國產裝置在各環節的進展差異明顯。盛博估算的各環節國產化率為：刻蝕約31%，CMP約39%，清洗約29%，薄膜沉積約27%，塗膠顯影約6%，量檢測約10%。光刻環節仍高度依賴進口，瑞銀2026年6月釋出的研報顯示，2026年前5個月中國從荷蘭進口的光刻裝置金額同比仍在大幅增長，上海和北京從荷蘭進口的光刻裝置累計分別增長了92%和65%。但同期中國半導體裝置進口總額約107億美元，同比下降12%，晶圓廠擴產加速而裝置進口下降，差額正由國產裝置填補。

刻蝕是國產裝置進展最快的領域之一，中微公司和北方華創形成兩強格局。中微公司2026年一季度營收29.15億元，同比增長34%，其自主研發的超高深寬比刻蝕裝置已交付客戶驗證。北方華創同期營收103.23億元，同比增長約26%，並在SEMICON CHINA上釋出了新一代ICP刻蝕裝置，將刻蝕均勻性推進到埃米級別。薄膜沉積領域，拓荊科技2026年一季度營收11.12億元，同比增長57%，截至2025年末在手訂單約110億元。中微公司2025年LPCVD和ALD裝置合計收入同比增長224%。

CMP環節，華海清科2026年一季度營收12.01億元，截至5月末在手訂單74.81億元，其中離子注入裝備在手訂單同比增長116%。中微公司通過收購杭州眾矽也進入了這一領域。清洗裝置方面，盛美上海2025年營收67.86億元，同比增長約21%，據Gartner資料其2025年在全球清洗裝置市場排名第四。塗膠顯影領域，北方華創2025年以31.35億元收購芯源微取得控制權後，已成為國內唯一覆蓋刻蝕、薄膜沉積、熱處理、溼法清洗、離子注入、塗膠顯影、鍵合七大類裝置的企業。

後道測試裝置也在成為新的增長點。AI晶片的單顆測試時間已從傳統晶片的毫秒級延長到10至30分鐘，測試裝置的用量和單價都在大幅提升。工信部資訊通訊經濟專家委員會委員盤和林指出，國產半導體裝置的進展並不均勻，具有製造優勢的品類獲得了提振，但受制於海外關鍵零部件的品類確實遇到了困難。

頭部廠商均在大幅增加研發投入。2025年，北方華創研發投入72.77億元，佔營收比例18.49%；中微公司研發投入37.44億元，佔營收比例30.23%。劉高暢認為，行業正處於用研發投入換先進製程產品突破的階段，短期利潤承壓在預期之內。盛博預計，中國晶圓製造裝置國產化率將從2025年的21%升至2028年的約43%，國產前十大裝置公司2024年至2028年的複合增速約為35%。