中国最大 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）已正式启动设备投资准备，近期针对新晶圆厂设备向合作伙伴展开招标，并进一步具体化多座新厂的扩展计划。市场消息显示，长鑫存储已开始为上海新晶圆厂的建设进行设备招标，若投资按计划推进，其与三星电子、SK 海力士等全球记忆体领先企业的产能差距将快速缩小。
长鑫存储目前已在合肥（2 期）与北京（1 期）等晶圆厂量产 DRAM，总产能估计约为每月 25 万片，预计至 2026 年底最高可突破每月 30 万片。根据与合作伙伴讨论的内容，该公司计划于 2026 年第四季启用位于上海的新晶圆厂。半导体设备业者指出，长鑫存储计划分两个阶段扩充上海新厂，从近期招标规模来看，仅上海该厂即可确保远超过每月 10 万片的生产能力。
除上海厂区外，长鑫存储将接续于 2027 年上半年启用合肥新厂、最快于 2027 年下半年启用北京新厂，并预计于 2028 年上半年启用合肥扩建厂区。设备业者分析，长鑫存储强烈的扩产意愿，主要来自中国当地政府庞大的补助政策以及记忆体需求的急速暴增。若所有设备投资计划顺利执行，长鑫存储从 2026 年至 2028 年，每年皆能稳定获得至少每月 7 万至 8 万片的新增产能。长期来看，其总生产能力预计将扩大至每月 60 万片以上。
就每月 60 万片以上的生产能力而言，已相当接近目前 DRAM 市场龙头业者的产能水准。据估算，目前韩国三星电子与 SK 海力士的 DRAM 总产能分别约为每月 70 万片与每月 60 万片。随着长鑫存储持续大举扩产，全球 DRAM 市场的竞争格局预计将迎来重大变化。
从产业链角度看，长鑫存储的扩产计划对上游半导体设备与材料供应商构成明确的订单拉动。上海新厂近期招标规模已显示其单厂产能规划超过每月 10 万片，后续合肥、北京及合肥扩建厂区的陆续启用，意味着设备采购将呈现多年期的连续投入，而非一次性集中释放。这种节奏对设备业者的产能安排与交付周期提出了新的要求。
从市场格局看，长鑫存储若将总产能推升至每月 60 万片以上，其在全球 DRAM 供给中的份额将显著提升。目前三星与 SK 海力士分别以约每月 70 万片与 60 万片的产能位居前列，长鑫存储的扩产目标意味着其产能规模将逐步逼近这两家韩国厂商。这一变化可能影响 DRAM 市场的供给弹性与价格周期，尤其是在需求快速增长的背景下，新增产能的释放节奏将成为市场关注焦点。
从政策与资金面看，设备业者将长鑫存储的扩产意愿归因于中国当地政府庞大的补助政策以及记忆体需求的急速暴增。补助政策为资本开支提供了支撑，而需求端的快速增长则为产能消化提供了预期。两者叠加，使得长鑫存储能够在 2026 至 2028 年间维持每年至少每月 7 万至 8 万片的新增产能节奏。
综合来看，长鑫存储的扩产计划覆盖上海、合肥、北京三地多个厂区，时间跨度从 2026 年第四季延续至 2028 年上半年。若各阶段投资顺利执行，其总产能将从目前的约每月 25 万片逐步攀升至每月 60 万片以上，全球 DRAM 市场的竞争格局预计将因此迎来重大变化。