中國最大 DRAM 製造商長鑫儲存（CXMT）已正式啟動裝置投資準備，近期針對新晶圓廠裝置向合作伙伴展開招標，並進一步具體化多座新廠的擴充套件計劃。市場訊息顯示，長鑫儲存已開始為上海新晶圓廠的建設進行裝置招標，若投資按計劃推進，其與三星電子、SK 海力士等全球記憶體領先企業的產能差距將快速縮小。
長鑫儲存目前已在合肥（2 期）與北京（1 期）等晶圓廠量產 DRAM，總產能估計約為每月 25 萬片，預計至 2026 年底最高可突破每月 30 萬片。根據與合作伙伴討論的內容，該公司計劃於 2026 年第四季啟用位於上海的新晶圓廠。半導體裝置業者指出，長鑫儲存計劃分兩個階段擴充上海新廠，從近期招標規模來看，僅上海該廠即可確保遠超過每月 10 萬片的生產能力。
除上海廠區外，長鑫儲存將接續於 2027 年上半年啟用合肥新廠、最快於 2027 年下半年啟用北京新廠，並預計於 2028 年上半年啟用合肥擴建廠區。裝置業者分析，長鑫儲存強烈的擴產意願，主要來自中國當地政府龐大的補助政策以及記憶體需求的急速暴增。若所有裝置投資計劃順利執行，長鑫儲存從 2026 年至 2028 年，每年皆能穩定獲得至少每月 7 萬至 8 萬片的新增產能。長期來看，其總生產能力預計將擴大至每月 60 萬片以上。
就每月 60 萬片以上的生產能力而言，已相當接近目前 DRAM 市場龍頭業者的產能水準。據估算，目前韓國三星電子與 SK 海力士的 DRAM 總產能分別約為每月 70 萬片與每月 60 萬片。隨著長鑫儲存持續大舉擴產，全球 DRAM 市場的競爭格局預計將迎來重大變化。
從產業鏈角度看，長鑫儲存的擴產計劃對上游半導體裝置與材料供應商構成明確的訂單拉動。上海新廠近期招標規模已顯示其單廠產能規劃超過每月 10 萬片，後續合肥、北京及合肥擴建廠區的陸續啟用，意味著裝置採購將呈現多年期的連續投入，而非一次性集中釋放。這種節奏對裝置業者的產能安排與交付週期提出了新的要求。
從市場格局看，長鑫儲存若將總產能推升至每月 60 萬片以上，其在全球 DRAM 供給中的份額將顯著提升。目前三星與 SK 海力士分別以約每月 70 萬片與 60 萬片的產能位居前列，長鑫儲存的擴產目標意味著其產能規模將逐步逼近這兩家韓國廠商。這一變化可能影響 DRAM 市場的供給彈性與價格週期，尤其是在需求快速增長的背景下，新增產能的釋放節奏將成為市場關注焦點。
從政策與資金面看，裝置業者將長鑫儲存的擴產意願歸因於中國當地政府龐大的補助政策以及記憶體需求的急速暴增。補助政策為資本開支提供了支撐，而需求端的快速增長則為產能消化提供了預期。兩者疊加，使得長鑫儲存能夠在 2026 至 2028 年間維持每年至少每月 7 萬至 8 萬片的新增產能節奏。
綜合來看，長鑫儲存的擴產計劃覆蓋上海、合肥、北京三地多個廠區，時間跨度從 2026 年第四季延續至 2028 年上半年。若各階段投資順利執行，其總產能將從目前的約每月 25 萬片逐步攀升至每月 60 萬片以上，全球 DRAM 市場的競爭格局預計將因此迎來重大變化。