据DIGITIMES 9月1日报道，SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显著超越竞争对手三星电子。这一翻倍式增量直指上游硅晶圆涨价预期与AI存储芯片备料压力，也凸显SK海力士在HBM及先进DRAM赛道上的激进扩张意图。

在半导体制造成本中，硅晶圆占据核心比重，此次采购金额翻倍本质上是SK海力士为应对未来晶圆涨价压力而采取的提前卡位策略。通过大规模锁定上游原料，公司旨在平抑未来潜在的采购成本波动。值得注意的是，其采购力度显著高于同期三星电子，反映出两家公司在AI存储赛道上的战略分歧：SK海力士正以更激进的备料策略，确保HBM及先进制程DRAM产能释放不受原材料短缺掣肘，从而巩固其在AI供应链中的先发优势与交付确定性。

SK海力士在原材料端的激进“囤粮”，是其整体产能扩张与技术迭代战略的缩影。为支持下一代HBM4生产，公司已将1C DRAM扩产计划上调至原目标的近两倍，2027年第一季度末月产量目标提升至17万至20万片。同时，公司计划投资40亿美元在美国印第安纳州建设下一代HBM封装工厂，以扩充先进内存产能。技术层面，SK海力士已成功开发1c制程16GB LPDDR6芯片，数据处理速度与能效均获显著提升；并完成375层NAND闪存量产验证，首次在字线金属栅极中引入钼材料替代传统钨，计划年底前量产。

强劲的财务表现支撑了其激进备料策略。2026年第一季度，SK海力士实现营收52.58万亿韩元，同比增长298%；营业利润达37.61万亿韩元，净利润率超过70%，DRAM与NAND均价均创单季历史峰值。充沛现金流为其提前锁定硅晶圆等核心原料提供了充足弹药。

SK海力士的备料动作不仅影响硅晶圆市场，更折射出整个半导体上游供应链定价权的重塑。在积极采购原材料的同时，公司在设备采购端也展现出对成本上升的妥协。近期，SK海力士打破行业惯例，向核心设备供应商开放价格调整窗口，默许部分一级供应商提价3%至4%，终结了过去五年设备供应商持续降价的局面。此外，在评估375层NAND的钼制程设备时，公司最终选择东京电子的炉式设备，以替代泛林集团的单片晶圆处理设备，显示出对特定工艺设备的高度依赖。

从硅晶圆材料的翻倍采购，到默许核心设备涨价，SK海力士的举措表明，在AI驱动的产能军备竞赛中，存储巨头对上游供应链的依赖度正在加深。对投资者而言，这意味着半导体资本支出的红利正加速向硅晶圆制造商及核心设备供应商传导，上游材料与设备环节的业绩弹性与提价能力将成为未来市场定价的重要锚点。