據DIGITIMES 9月1日報道，SK海力士2026年第二季度矽晶圓採購金額環比暴增104%，採購力度顯著超越競爭對手三星電子。這一翻倍式增量直指上游矽晶圓漲價預期與AI儲存晶片備料壓力，也凸顯SK海力士在HBM及先進DRAM賽道上的激進擴張意圖。

在半導體制造成本中，矽晶圓佔據核心比重，此次採購金額翻倍本質上是SK海力士為應對未來晶圓漲價壓力而採取的提前卡位策略。通過大規模鎖定上游原料，公司旨在平抑未來潛在的採購成本波動。值得注意的是，其採購力度顯著高於同期三星電子，反映出兩家公司在AI儲存賽道上的戰略分歧：SK海力士正以更激進的備料策略，確保HBM及先進製程DRAM產能釋放不受原材料短缺掣肘，從而鞏固其在AI供應鏈中的先發優勢與交付確定性。

SK海力士在原材料端的激進“囤糧”，是其整體產能擴張與技術迭代戰略的縮影。為支援下一代HBM4生產，公司已將1C DRAM擴產計劃上調至原目標的近兩倍，2027年第一季度末月產量目標提升至17萬至20萬片。同時，公司計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以擴充先進記憶體產能。技術層面，SK海力士已成功開發1c製程16GB LPDDR6晶片，資料處理速度與能效均獲顯著提升；並完成375層NAND快閃記憶體量產驗證，首次在字線金屬柵極中引入鉬材料替代傳統鎢，計劃年底前量產。

強勁的財務表現支撐了其激進備料策略。2026年第一季度，SK海力士實現營收52.58萬億韓元，同比增長298%；營業利潤達37.61萬億韓元，淨利潤率超過70%，DRAM與NAND均價均創單季歷史峰值。充沛現金流為其提前鎖定矽晶圓等核心原料提供了充足彈藥。

SK海力士的備料動作不僅影響矽晶圓市場，更折射出整個半導體上游供應鏈定價權的重塑。在積極採購原材料的同時，公司在裝置採購端也展現出對成本上升的妥協。近期，SK海力士打破行業慣例，向核心裝置供應商開放價格調整視窗，默許部分一級供應商提價3%至4%，終結了過去五年裝置供應商持續降價的局面。此外，在評估375層NAND的鉬製程裝置時，公司最終選擇東京電子的爐式裝置，以替代泛林集團的單片晶圓處理裝置，顯示出對特定工藝裝置的高度依賴。

從矽晶圓材料的翻倍採購，到默許核心裝置漲價，SK海力士的舉措表明，在AI驅動的產能軍備競賽中，儲存巨頭對上游供應鏈的依賴度正在加深。對投資者而言，這意味著半導體資本支出的紅利正加速向矽晶圓製造商及核心裝置供應商傳導，上游材料與裝置環節的業績彈性與提價能力將成為未來市場定價的重要錨點。