韩国芯片制造商SK海力士周四表示，其位于美国印第安纳州的工厂将于2029年第三季度开始量产下一代HBM4E芯片。该公司CEO郭鲁正同时警告，当前的内存短缺局面将持续到2030年。

这一时间表与投资计划表明，SK海力士正为满足AI热潮带来的高性能内存需求而提前布局。该公司已承诺投入40亿美元建设该工厂，以扩大先进存储芯片的产能。HBM（高带宽内存）是AI加速器（如英伟达GPU）的关键组件，其供应紧张直接影响AI算力系统的交付。

郭鲁正的言论反映了业界对内存供应持续紧张的普遍担忧。随着AI模型训练和推理对内存带宽和容量的需求激增，HBM及传统DRAM的产能成为制约因素。SK海力士作为HBM市场的主要供应商，其扩产计划有助于缓解长期供应压力，但短期内短缺仍可能持续。

对投资者而言，SK海力士的产能扩张与短缺预期，不仅影响其自身业绩，也牵动整个AI产业链——从芯片设计、制造到云服务商的资本开支。内存供应的持续紧张，可能推高相关产品价格，并影响AI基础设施的部署速度。