韓國晶片製造商SK海力士週四表示，其位於美國印第安納州的工廠將於2029年第三季度開始量產下一代HBM4E晶片。該公司CEO郭魯正同時警告，當前的記憶體短缺局面將持續到2030年。

這一時間表與投資計劃表明，SK海力士正為滿足AI熱潮帶來的高效能記憶體需求而提前佈局。該公司已承諾投入40億美元建設該工廠，以擴大先進儲存晶片的產能。HBM（高頻寬記憶體）是AI加速器（如輝達GPU）的關鍵元件，其供應緊張直接影響AI算力系統的交付。

郭魯正的言論反映了業界對記憶體供應持續緊張的普遍擔憂。隨著AI模型訓練和推理對記憶體頻寬和容量的需求激增，HBM及傳統DRAM的產能成為制約因素。SK海力士作為HBM市場的主要供應商，其擴產計劃有助於緩解長期供應壓力，但短期內短缺仍可能持續。

對投資者而言，SK海力士的產能擴張與短缺預期，不僅影響其自身業績，也牽動整個AI產業鏈——從晶片設計、製造到雲服務商的資本開支。記憶體供應的持續緊張，可能推高相關產品價格，並影響AI基礎設施的部署速度。