長鑫科技於2026年8月28日釋出2026年上半年業績，營收達到1503.1億元，同比增長873.64%，歸母淨利潤776.1億元，在A股所有上市公司中排名第十。財報顯示，淨利潤大幅增長主要得益於全球算力需求的快速增長和全球主要廠商產能調配，導致全球DRAM產品供不應求、價格大幅上漲，帶動公司主要DRAM產品銷售毛利大幅增長。截至2026年6月底，長鑫主營業務毛利率達到84.84%。

在資本市場上，長鑫同樣表現不俗。上市當天收盤價為49.5元，較發行價上漲471.6%，此後至8月28日，累計漲幅接近20%。

長鑫科技的崛起並非一蹴而就。公司董事長朱一明早在2005年就曾斷言：“誰領導了儲存器技術，誰就能稱雄整個積體電路產業。”如今，這家企業用一份半年報證明了這句話的分量。從“燒錢黑洞”到“現金奶牛”，長鑫花了十年時間，但半年利潤遠超此前累計虧損。在2025年成功扭虧為盈後，長鑫在2026年上半年實現營收同比增長近9倍，而歸母淨利潤達到776.1億元，而截至2025年底，公司累計未彌補虧損為366.5億元。

長鑫的翻身並非孤例，儲存行業“投入多年，一朝回本”是常見劇本。三星在1983年進軍DRAM領域，隨後遭遇全球半導體衰退，到1986年底累計虧損超過3億美元，但1987年日美半導體摩擦導致DRAM短缺、價格猛漲，三星憑藉低谷期攢下的產能迅速回血，當年利潤完全抵消了此前所有累計虧損。此後幾十年，儲存行業經歷多輪週期，三星儲存的利潤也隨之暴漲暴跌。美光、SK海力士也經歷過類似從虧損到盈利的過程。

長鑫的回本週期長達十年，是因為面對的市場環境更為複雜。上世紀80年代，DRAM市場競爭格局尚未固化，幾十家廠商混戰，後來者尚有機會通過逆週期投資和技術追趕分一杯羹。而近年來，儲存市場已被三星、SK海力士、美光三巨頭牢牢把控，它們擁有技術、產能、客戶關係的全方位壁壘。理論上，這樣的市場不會給後來者任何機會，但長鑫踩上了“AI超級週期”的節奏。

2024年以來，AI算力需求爆發，大幅提高了DRAM需求。根據TrendForce的資料，2025年全球DRAM現貨價格大漲超410%，2026年一季度合約價繼續環比暴漲80%-95%，長鑫的毛利率隨之從2023年的-2.19%飆升至2026年上半年的84%。AI大模型的訓練與推理需要海量資料的高速讀寫、傳輸和運算，GPU快取有限，訓練時必須把資料暫存在DRAM中。根據美光的資料測算，AI伺服器中DRAM容量是普通伺服器的8倍。

AI伺服器通常使用HBM技術，即將DRAM壓縮並聯，提供更快的儲存效率。HBM的更高利潤讓三星、SK海力士、美光三大巨頭將大多數先進產能轉向HBM生產，而通用消費級DRAM產能被大幅壓縮，出現巨大供給缺口，這正是長鑫的主戰場。不過，長鑫也在財報中提示，當前人工智慧產業正處於基礎設施集中投資建設期，但其商業化應用仍處於持續拓展過程中，公司報告期內相關領域內的收入佔比相對較低。

在地緣衝突背景下，國產儲存的滲透率提升也是大趨勢。長鑫是中國大陸唯一實現DRAM大規模量產的原廠，其產品已進入小米、OPPO、vivo、聯想、華為等主流供應鏈。長鑫還採取了激進的跳代策略，跳過17nm中間製程，直接落地16nm（1Z）工藝體系，對標國際主流DDR5規格。長鑫在2024年底開始量產DDR5，並逐步縮減DDR4產能。

關於儲存行業未來的走向，市場存在分歧。樂觀派認為，AI正在“抹平”週期性，因為AI需求是指數級、結構性的，而非線性、可預測的。2026年，AI預計將消耗全球2/3的DRAM產能，AI模型引數每幾個月就翻一番，對記憶體的需求尚未看到天花板。摩根士丹利首席半導體分析師Joseph Moore在2026年6月釋出的研報中提出“晶片通脹”（Chipflation）概念，認為本輪漲價不是普通週期，而是一次結構性重置，DRAM的價格不會暴跌。

悲觀派則認為AI反而放大了週期性，因為AI需求的彈性極大，一旦AI資本開支放緩，儲存需求可能斷崖式下跌。BlueBox Asset Management基金經理William de Gale表示，儲存行業往往會經歷巨大的起伏：“每當人們開始宣稱儲存週期已經消失時，我懷疑情況依然會像過去一樣——然後一切又會迅速惡化。”高盛在看好短期行情的同時明確預警，儘管本輪景氣週期拉長，但2027下半年至2028年全球新增產能集中釋放後，儲存漲價動能大機率放緩。

長鑫在財報中也提示，行業持續迭代最佳化人工智慧模型演算法，存算一體、片上快取等新型硬體架構與技術方案也在持續探索中，若實現大規模產業化應用，可能改變現有以雲端GPU/AI加速卡叢集搭配DRAM的主流算力部署方式，削弱人工智慧對DRAM市場的驅動作用。

目前，儲存的高利潤正在刺激企業進行新一輪擴產。美光將2026財年資本開支從200億美元上修至250億美元，並指引2027年超350億美元；SK海力士於2026年8月宣佈投入近400億美元在韓國擴產；三星2026年資本開支計劃超700億美元。

在技術層面，長鑫與三巨頭仍存在代差。三星、SK海力士已採用12-14nm的D1a/D1α和D1b/D1β工藝製造DDR5，在HBM領域，SK海力士已量產HBM3E並推進HBM4，三星、美光也在快速跟進。其他儲存廠商與這三家還存在一到兩代的差距。這種差距除了儲存研發技術本身，也有光刻機的原因。美國對華禁售EUV光刻機，並聯合荷蘭、日本收緊先進DUV光刻機出口，光刻機供應近幾年始終處於不確定狀態。長鑫目前正在佈局VCT垂直電晶體、4F²單元結構等前瞻性方向，這種“換道超車”的思路理論上可以降低對最先進光刻裝置的依賴，但在工程實現上仍面臨良率、成本、可靠性等多重挑戰。

長鑫科技的半年翻盤是中國半導體產業的一個里程碑。它證明了在極致殘酷的儲存行業，後來者並非完全沒有機會；也證明了在地緣衝突和AI變革的雙重背景下，國產替代背後是真實的市場需求和商業回報。但故事遠未結束，對於長鑫而言，366.5億元的歷史虧損可以用半年利潤填平，但成為下一個美光、海力士，可能還需要更多的智慧和時間。