美国对SK海力士中国工厂的设备许可仅覆盖到今年年底，而韩媒披露其停工四年的大连NAND二厂最快将在11月搬入生产设备，目标2027年上半年量产。就在这条消息出现十天后，SK海力士又传出准备在日本宫城县建设大型存储芯片工厂，潜在投资高达数十万亿韩元。一边赶在年度许可到期前重启大连产线，一边评估把下一座工厂放到日本，SK海力士看似在全球扩产，实则是在美国施压与产业规律之间艰难平衡。
据韩媒报道，SK海力士计划投资数十万亿韩元，在日本东北部的宫城县建设一座存储半导体制造厂。这将是韩国半导体公司首次在日本进行半导体投资，建立生产基地。要知道，韩国和日本近年来在芯片半导体领域摩擦不断，一直互相提防，此次投资若成行，意义非同寻常。
SK海力士选择日本建厂，一方面看中日本对外资建厂的大额补贴。消息显示，日本已为台积电熊本项目提供最高4760亿日元支持，为美光在广岛建厂提供5000亿日元支持。如果SK海力士项目落地，日本政府预计也会承担一部分建厂成本。另一方面，日本在硅片、光刻胶、封装材料以及多种半导体设备领域仍具领先优势，SK海力士的芯片产线本就使用日本企业如Namics、信越化学、东京应化等的材料和设备，在日建厂可直接嵌入上游供应商体系。
不过，SK海力士要在日本投产，一方面要面对韩国本土舆论压力，另一方面美国也可能有微词。美国一直在向韩国政府和企业施压，要求其在美国本土投资建设存储芯片工厂。朝媒消息显示，美国已要求韩国半导体企业在美国建设存储芯片工厂，并对韩国宣布的800万亿韩元湖南半导体集群表示不满，认为韩国把下一轮最稀缺的存储产能和巨额资本优先留在了本国，却迟迟不拿出在美建设存储工厂的方案。
与此同时，SK海力士在中国大连的工厂已接近完成扩产。其旗下Solidigm已于今年上半年恢复大连二厂投资，最快今年11月搬入设备，目标是2027年上半年实现量产，新增月投片能力约4万至6万片。大连一厂现有月产能约10万片，二期投产后，大连基地总产能将达到15万片，接近SK海力士NAND产能的一半。而且，如果只看海外NAND前道制造，大连目前就是SK海力士唯一的生产基地，占比为100%。
需要说明，大连二厂并非全新项目。SK海力士2021年接手英特尔大连NAND工厂，2022年5月启动二厂建设，随后因NAND价格暴跌和美国设备管制而停工。随着这两年存储芯片需求暴涨，SK海力士于今年上半年重启项目。
至于为何在当下重启大连二期，一方面是存储芯片涨价，SK海力士想通过扩大生产基地锁定产能；另一方面则与设备许可的时间窗口有关。去年8月，美国商务部取消三星和SK海力士中国工厂原有的“验证最终用户”资格，年底又向两家公司发放了2026年度设备进口许可，允许继续向中国工厂运送部分美国设备。这意味着，今年年底之前，SK海力士大连二厂在先进设备进口方面压力不大。
把大连项目放到SK海力士的全球投资版图中，其试探意味更加明显。在韩国，SK海力士已批准投入54.3万亿韩元，建设龙仁Y2和清州M17两座工厂。其中，清州M17首个洁净室预计2028年底完成，龙仁Y2首个洁净室要到2029年年中才能完成。在美国，SK海力士已确定投资38.7亿美元，在印第安纳州建设HBM先进封装和研发基地，至少要到2028年投入运营。
也就是说，即使扩产速度再快，从今年到明年这段真空期，SK海力士仍只能依靠中国供应链来满足产能。这是由中国完整的产业结构决定的，美国再想控制SK海力士绕开中国，也得考虑拿什么满足客户不断增长的订单。
这暴露了美国芯片管制面临的内在矛盾：美国希望利用设备许可限制中国工厂扩产和技术升级，把SK海力士下一轮投资拉向美国；但美国、韩国、日本的AI企业又需要更多HBM、DRAM和NAND，无法承受中国现有存储产能突然退出。而韩国企业也不会完全听从美国指令，放着大好的生意不做。
SK海力士的三面布局，看似左右逢源，实则是一家企业在政治铁幕与产业规律之间的艰难求生。它无法放弃中国现成的厂房与供应链，难以拒绝日本的材料优势与巨额补贴，更不敢无视美国的市场与政治压力。这种“一个都不能少”的纠结，恰恰印证了半导体产业几十年全球化编织的供应链网络，从来就不是靠行政命令可以徒手拆解的。地缘政治可以延缓工厂的建设，却无法改写产业的物理规律。在这场围绕存储芯片的博弈中，最终胜出的不会是嗓门最大的施压者，而是那个能让光刻机真正运转起来的地方。