美國對SK海力士中國工廠的裝置許可僅覆蓋到今年年底，而韓媒披露其停工四年的大連NAND二廠最快將在11月搬入生產裝置，目標2027年上半年量產。就在這條訊息出現十天後，SK海力士又傳出準備在日本宮城縣建設大型儲存晶片工廠，潛在投資高達數十萬億韓元。一邊趕在年度許可到期前重啟大連產線，一邊評估把下一座工廠放到日本，SK海力士看似在全球擴產，實則是在美國施壓與產業規律之間艱難平衡。
據韓媒報道，SK海力士計劃投資數十萬億韓元，在日本東北部的宮城縣建設一座儲存半導體制造廠。這將是韓國半導體公司首次在日本進行半導體投資，建立生產基地。要知道，韓國和日本近年來在晶片半導體領域摩擦不斷，一直互相提防，此次投資若成行，意義非同尋常。
SK海力士選擇日本建廠，一方面看中日本對外資建廠的大額補貼。訊息顯示，日本已為台積電熊本專案提供最高4760億日元支援，為美光在廣島建廠提供5000億日元支援。如果SK海力士專案落地，日本政府預計也會承擔一部分建廠成本。另一方面，日本在矽片、光刻膠、封裝材料以及多種半導體裝置領域仍具領先優勢，SK海力士的晶片產線本就使用日本企業如Namics、信越化學、東京應化等的材料和裝置，在日建廠可直接嵌入上游供應商體系。
不過，SK海力士要在日本投產，一方面要面對韓國本土輿論壓力，另一方面美國也可能有微詞。美國一直在向韓國政府和企業施壓，要求其在美國本土投資建設儲存晶片工廠。朝媒訊息顯示，美國已要求韓國半導體企業在美國建設儲存晶片工廠，並對韓國宣佈的800萬億韓元湖南半導體叢集表示不滿，認為韓國把下一輪最稀缺的儲存產能和鉅額資本優先留在了本國，卻遲遲不拿出在美建設儲存工廠的方案。
與此同時，SK海力士在中國大連的工廠已接近完成擴產。其旗下Solidigm已於今年上半年恢復大連二廠投資，最快今年11月搬入裝置，目標是2027年上半年實現量產，新增月投片能力約4萬至6萬片。大連一廠現有月產能約10萬片，二期投產後，大連基地總產能將達到15萬片，接近SK海力士NAND產能的一半。而且，如果只看海外NAND前道製造，大連目前就是SK海力士唯一的生產基地，佔比為100%。
需要說明，大連二廠並非全新專案。SK海力士2021年接手英特爾大連NAND工廠，2022年5月啟動二廠建設，隨後因NAND價格暴跌和美國裝置管制而停工。隨著這兩年儲存晶片需求暴漲，SK海力士於今年上半年重啟專案。
至於為何在當下重啟大連二期，一方面是儲存晶片漲價，SK海力士想通過擴大生產基地鎖定產能；另一方面則與裝置許可的時間視窗有關。去年8月，美國商務部取消三星和SK海力士中國工廠原有的“驗證終端使用者”資格，年底又向兩家公司發放了2026年度裝置進口許可，允許繼續向中國工廠運送部分美國裝置。這意味著，今年年底之前，SK海力士大連二廠在先進裝置進口方面壓力不大。
把大連專案放到SK海力士的全球投資版圖中，其試探意味更加明顯。在韓國，SK海力士已批准投入54.3萬億韓元，建設龍仁Y2和清州M17兩座工廠。其中，清州M17首個潔淨室預計2028年底完成，龍仁Y2首個潔淨室要到2029年年中才能完成。在美國，SK海力士已確定投資38.7億美元，在印第安納州建設HBM先進封裝和研發基地，至少要到2028年投入運營。
也就是說，即使擴產速度再快，從今年到明年這段真空期，SK海力士仍只能依靠中國供應鏈來滿足產能。這是由中國完整的產業結構決定的，美國再想控制SK海力士繞開中國，也得考慮拿什麼滿足客戶不斷增長的訂單。
這暴露了美國晶片管制面臨的內在矛盾：美國希望利用裝置許可限制中國工廠擴產和技術升級，把SK海力士下一輪投資拉向美國；但美國、韓國、日本的AI企業又需要更多HBM、DRAM和NAND，無法承受中國現有儲存產能突然退出。而韓國企業也不會完全聽從美國指令，放著大好的生意不做。
SK海力士的三面佈局，看似左右逢源，實則是一家企業在政治鐵幕與產業規律之間的艱難求生。它無法放棄中國現成的廠房與供應鏈，難以拒絕日本的材料優勢與鉅額補貼，更不敢無視美國的市場與政治壓力。這種“一個都不能少”的糾結，恰恰印證了半導體產業幾十年全球化編織的供應鏈網路，從來就不是靠行政命令可以徒手拆解的。地緣政治可以延緩工廠的建設，卻無法改寫產業的物理規律。在這場圍繞儲存晶片的博弈中，最終勝出的不會是嗓門最大的施壓者，而是那個能讓光刻機真正運轉起來的地方。