3D存算一体芯片企业谦合益邦近日宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着这一技术从验证阶段正式迈入工程落地。该芯片采用自研的三维集成原生计算架构，首次在全球范围内实现4层芯片垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，旨在突破传统平面架构下计算与存储分离导致的“内存墙”瓶颈。

具体而言，该芯片采用“4+1”三维堆叠架构，即以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上。垂直扩展能力是决定存算一体芯片访存带宽与存储容量上限的关键，堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理可调用的存储带宽与容量越充足。然而，每增加一层，良率、可靠性与热管理等挑战随之倍增，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制等环节均考验设计与工艺极限。此次“4+1”架构的突破，将三维集成原生计算架构的工程落地推进至4层堆叠高度，被视为我国在三维存算一体芯片领域的重要成果。

性能方面，该芯片通过全新三维集成原生计算架构实现全方位跃升：数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗和延时降低一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升一个数量级，单次数据处理成本下降一个数量级。这些指标的系统性突破，为云游戏等大规模并行计算与高并发数据流处理场景提供了新的硬件加速范式。

谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早专注3D存算一体、三维集成原生芯片架构和云游戏应用加速的芯片公司之一。其核心团队早在2018年便启动全球首款基于3D DRAM存算一体架构芯片的探索研发及量产，当时存算一体尚处学术探讨阶段，团队率先下场验证技术路线。经过六年积累，多轮流片、试错与多代架构迭代，形成了技术壁垒。目前，公司已联合国内产业链伙伴打通从架构定义、前后端设计到先进3D封装、晶圆制造的全流程闭环，实现核心技术自主可控。

近期，谦合益邦完成超20亿元B轮融资，网易有道与中国移动链长基金作为长期股东及合作伙伴，在业务层面与公司形成深度协同，为芯片规模化落地提供需求入口与验证场景。未来，公司计划持续深耕3D存算一体技术，赋能更多应用场景。